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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SQJ486EP-T1_GE3

SQJ486EP-T1_GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 8:55:10 查看 閱讀�26

SQJ486EP-T1_GE3 是一款基于硅技�(shù)制造的高性能功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于高效率開關應用。該器件采用了先進的封裝技�(shù),具有低導通電阻和快速開關速度的特�,適用于需要高效能、小體積和高可靠性的電路設計�
  其主要應用場景包括開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開關等電力電子領域。由于其出色的性能,這款芯片廣泛用于消費電子、工�(yè)控制以及汽車電子等領��

參數(shù)

型號:SQJ486EP-T1_GE3
  類型:N溝道增強型MOSFET
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導通電阻,典型值)�4.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):114A
  Qg(總柵極電荷):27nC
  Eoss(輸出電容儲能)�97μJ
  Vgs(th)(柵源開啟電壓)�2.5V~4.5V
  工作溫度范圍�-55℃~175�
  封裝形式:TO-263-3(D2PAK�

特�

SQJ486EP-T1_GE3 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少導通損耗并提升整體效率�
  2. 快速開關能�,適合高頻開關應�,能夠降低開關損耗�
  3. 高電流承載能�,支持大功率系統(tǒng)設計�
  4. 寬廣的工作溫度范�,使其能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
  5. 采用 TO-263-3 封裝,具備良好的散熱性能和機械強度�
  6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
  7. �(nèi)部集成防靜電保護功能,提高可靠��
  這些特性使 SQJ486EP-T1_GE3 成為許多高要求電力電子應用的理想選擇�

應用

SQJ486EP-T1_GE3 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關或同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開��
  3. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力�(zhuǎn)向(EPS�、制動系�(tǒng)和電池管理系�(tǒng)(BMS)�
  4. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動和負載控制�
  5. 消費電子�(chǎn)品中的充電器和適配器�
  6. 通信設備中的電源管理模塊�
  憑借其卓越的性能和可靠�,SQJ486EP-T1_GE3 在各種高功率密度和高效能需求的應用中表�(xiàn)出色�

替代型號

SQJ486EP-D_T1, IRF540N, FDP55N06L

sqj486ep-t1_ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sqj486ep-t1_ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �9.62000剪切帶(CT�3,000 : �4.07268卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�75 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)30A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)26 毫歐 @ 51A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1386 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)56W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8