SSM3J118TU 是一款由東芝(Toshiba)公司生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式,廣泛應用于需要高效開關特性和低導通電阻的電路�。其 LXGF(B) 標識可能代表封裝或產(chǎn)品系列的一個變體�
這款功率 MOSFET 主要用于電源管理、電機驅�、負載開關和 DC-DC 轉換等應用領�。由于其出色的電氣性能和熱特性,SSM3J118TU 在高電流和高頻應用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�9.6A
導通電阻(典型�,Vgs=10V):7mΩ
柵極電荷(典型值)�45nC
輸入電容(典型值)�1080pF
總功耗:26W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
SSM3J118TU 具有較低的導通電阻和柵極電荷,能夠顯著提高效率并降低開關損��
該器件支持快速開關操�,適用于高頻應用,并且具備出色的熱穩(wěn)定��
� TO-252 封裝形式便于表面貼裝,適合大�(guī)模自動化生產(chǎn)�
此外,該 MOSFET 的漏源擊穿電壓為 30V,適用于低電壓系�(tǒng)�
SSM3J118TU 還具有良好的短路耐受能力,能夠在極端條件下提供可靠的保護�
SSM3J118TU 廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制和汽車電子領��
具體應用包括但不限于�
- 開關電源(SMPS)中的同步整�
- 電池管理系統(tǒng)中的負載開關
- 電機驅動器中的功率級開關
- LED 驅動器和 DC-DC 轉換�
- 各種保護電路中的電子保險絲功�