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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SSM3J334R

SSM3J334R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 16:11:17 查看 閱讀�31

SSM3J334R是羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等�(yōu)�(diǎn)。這種MOSFET通常被用于各種電源管理應(yīng)用中,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電池保護(hù)電路等場(chǎng)��
  SSM3J334R的設(shè)�(jì)特別注重降低功�,因此非常適合便攜式�(shè)備和其他�(duì)能效有較高要求的�(yīng)用場(chǎng)合。同�(shí),其小型化的封裝形式也便于在空間受限的環(huán)境中使用�

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  封裝:USP-6B
  Vds(漏源極擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�1.2mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  Id(持�(xù)漏極電流):80A
  Qg(柵極電荷)�9nC
  EAS(雪崩能量)�27mJ
  fT(截止頻率)�2.2GHz
  Vgs(柵源極電壓范圍):-1/+12V
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55/+150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,可以支持高�(dá)80A的持�(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)性能,得益于較小的柵極電荷Qg�
  4. 小型化封裝USP-6B,適合于緊湊型設(shè)�(jì)需��
  5. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的電氣性能�
  6. 高雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
  7. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種�(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用需��
  8. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源中的同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
  3. 各類�(fù)載開�(guān),例如USB端口控制�
  4. 電池保護(hù)電路中的理想選擇�
  5. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的驅(qū)�(dòng)電路�
  7. 電機(jī)控制和逆變器中的關(guān)鍵功率器件�
  8. 其他需要高�、可靠功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SSM3J335R

ssm3j334r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)