SSR2N60B是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的應(yīng)用場��
SSR2N60B的主要特�(diǎn)是其較高的擊穿電壓(可達(dá)600V),使其能夠適應(yīng)高壓�(huán)境下的工作需�。同�,它在導(dǎo)通狀�(tài)下的低電阻特性可顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
柵極-源極電壓(Vgs):±20V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:70W
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
1. 高擊穿電�,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功率損耗并提升效率�
3. 快速開�(guān)特�,支持高頻操��
4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠承受較寬的工作溫度范��
5. 具備抗雪崩能�,可�(yīng)對異常工作條件下的過載情況�
6. 封裝形式堅固耐用,易于散熱設(shè)��
SSR2N60B廣泛�(yīng)用于多種高壓、高效率的電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)動器中的功率級控��
3. 逆變器和變頻器的�(shè)��
4. 各類工業(yè)控制系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. LED照明�(qū)動電路中的開�(guān)元件�
6. 電池保護(hù)及充電管理電路中的關(guān)鍵組��
SSR2N60C, IRF840, STP60NF06