SST39VF1601-70-4C-EKE是一款閃存存儲器,屬于閃存芯片中的一�。它是一種非易失性存儲器,可在斷電情況下保持�(shù)�(jù)的完整�,廣泛應用于各種電子設備中,如計算機、手機、數(shù)碼相機等�
SST39VF1601-70-4C-EKE的操作理論主要基于閃存存儲器的原�。閃存存儲器是一種基于電荷累積原理的非易失性存儲器,它的存儲單元被稱為“閃存單元�,每個閃存單元中包含一個F-N隧道�,一個控制門和一個浮動柵。當控制門施加一個高電壓�,電子會從控制門流向浮動柵,改變浮動柵的電荷�,進而改變閃存單元的狀�(tài)。當控制門施加一個低電壓�,電子無法流向浮動柵,閃存單元的狀�(tài)保持不變。因�,我們可以通過控制門的電壓來改變閃存單元的狀�(tài),從而實�(xiàn)存儲和讀取數(shù)�(jù)的功能�
SST39VF1601-70-4C-EKE的基本結構包括存儲單元陣�、地址譯碼器、數(shù)�(jù)輸入輸出緩沖�、控制器�。其�,存儲單元陣列是閃存存儲器的核心部分,它由多個閃存單元組成,每個閃存單元都可以存儲一個二進制�。地址譯碼器將CPU�(fā)送的地址信號轉換為存儲單元陣列的行列地址,以便訪問指定的閃存單元。數(shù)�(jù)輸入輸出緩沖器用于存儲輸入和輸出的數(shù)�(jù),控制器用于控制閃存存儲器的讀寫操��
1.工作電壓�2.7V-3.6V
2.工作溫度范圍�-40℃~85�
3.存儲容量�32Mbit
4.存儲密度�4Mx8
5.存儲速度�70ns
6.封裝形式�48-Pin TSOP�48-Pin VFBGA
1.高速讀寫:SST39VF1601-70-4C-EKE的存儲速度�70ns,能夠滿足高速讀寫的需求�
2.擦寫次數(shù)多:SST39VF1601-70-4C-EKE的閃存可擦寫次數(shù)達到�10萬次以上,具有很高的可靠性�
3.低功耗:該存儲器采用低功耗CMOS技�,功耗較低�
4.編程電壓低:SST39VF1601-70-4C-EKE的編程電壓為3.6V,較低,有利于提高系�(tǒng)的可靠��
5.安全性高:該存儲器具有可編程的軟件保護功�,能夠有效保護存儲器中的�(shù)�(jù)不被非法訪問�
SST39VF1601-70-4C-EKE的工作原理是通過電子設備存儲信息。當需要讀取數(shù)�(jù)�,控制器向存儲器�(fā)出讀取指�,存儲器根據(jù)指令將數(shù)�(jù)傳輸?shù)娇刂破髦?。當需要寫�?shù)�(jù)�,控制器向存儲器�(fā)出編程指�,存儲器將數(shù)�(jù)寫入到指定地址中。當需要擦除數(shù)�(jù)�,控制器向存儲器�(fā)出擦除指�,存儲器將指定地址中的�(shù)�(jù)全部擦除�
SST39VF1601-70-4C-EKE可廣泛應用于各種微控制器系統(tǒng)�,如智能卡、嵌入式系統(tǒng)、工�(yè)控制、醫(yī)療設備等領域。由于其高速讀�、低功�、可靠性高等特點,得到了廣泛的應用�
1.在安裝過程中,應注意避免靜電干擾�
2.應按照SST39VF1601-70-4C-EKE的引腳排列正確連接�
3.在使用過程中,應注意保持存儲器的正常工作電壓和溫度范��
4.在使用過程中,應注意避免存儲器受到機械沖擊或振動�