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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > ST12VFBD122

ST12VFBD122 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 12:17:42 查看 閱讀�13

ST12VFBD122是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款雙通道功率MOSFET集成模塊,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件采用PowerSO-12封裝形式,具有低�(dǎo)通電�、高效率和卓越的熱性能特點(diǎn)。通過(guò)將兩�(gè)N溝道MOSFET集成在一�(gè)封裝�,ST12VFBD122能夠�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并減少PCB占用面積�
  該器件適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽�(chē)電子�(lǐng)域中的多種應(yīng)用場(chǎng)合,例如直流電機(jī)�(qū)�(dòng)、電池管理以及LED�(qū)�(dòng)器等�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值)
  柵極電荷�27nC(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C�150°C
  封裝形式:PowerSO-12
  功耗:15W

特�

ST12VFBD122集成了兩�(gè)高性能N溝道MOSFET,具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
  3. 小型化PowerSO-12封裝,節(jié)省PCB空間且具有良好的散熱能力�
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的可靠��
  5. 支持大電流操�,適用于高功率密度設(shè)�(jì)�
  6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

ST12VFBD122廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�,具體包括:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流電路�
  2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng)和控��
  3. LED�(qū)�(dòng)器及恒流源設(shè)�(jì)�
  4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
  5. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  6. 各類(lèi)工業(yè)�(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)和信�(hào)傳輸�
  其雙通道�(jié)�(gòu)和高性能指標(biāo)使其成為眾多�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

STP16NF40L, IRFZ44N

st12vfbd122推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)