ST12VFBN162 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的高性能功率MOSFET器件。該芯片采用N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù),廣泛用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。
其封裝形式為SOT-223,這種封裝具有良好的散熱性能和電氣特性,適合高電流和高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。ST12VFBN162以其低導(dǎo)通電阻和高效率而著稱(chēng),能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提升整體性能。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:12A
導(dǎo)通電阻(典型值):16.5mΩ
柵極電荷:27nC
輸入電容:1040pF
工作溫度范圍:-55℃至150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少功率損耗。
2. 高雪崩能力,確保在過(guò)載或短路情況下具備更好的魯棒性。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
4. 小巧的SOT-223封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間的同時(shí)提供出色的散熱性能。
5. 寬泛的工作溫度范圍,適用于各種嚴(yán)苛的工作條件。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
這些特性使得ST12VFBN162成為許多功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件。
3. 電池保護(hù)電路中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
5. 各類(lèi)工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理模塊。
由于其優(yōu)異的性能和可靠性,這款芯片被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化以及通信設(shè)備等領(lǐng)域。
STP12PF06,
IRFZ44N,
FDP18N06L