時(shí)間：2025/5/10 16:07:41
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ST1G3234BBJR是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的MOSFET功率晶體管。該器件屬于ST的MDmesh技術(shù)系列，采用DPAK7封裝形式。它主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效率和低功耗的電力電子設(shè)備。
這款MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠顯著提高電路效率并減少能量損耗。其額定電壓為650V，適用于多種高壓應(yīng)用場景。
最大漏源電壓：650V
最大連續(xù)漏極電流：19A
導(dǎo)通電阻（典型值）：280mΩ
柵極電荷（典型值）：25nC
總電容（輸入電容）：1040pF
最大工作結(jié)溫：175°C
封裝類型：DPAK7
ST1G3234BBJR具有以下關(guān)鍵特性：
1. 高電壓耐受能力，額定電壓達(dá)到650V，適用于多種工業(yè)應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻，僅280mΩ（典型值），有助于降低導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能，柵極電荷小至25nC，從而減少開關(guān)損耗。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì)，適合在高溫環(huán)境下運(yùn)行，最高結(jié)溫可達(dá)175°C。
5. MDmesh技術(shù)帶來更高的單位面積電流密度和更優(yōu)的電氣性能。
6. 封裝緊湊，便于PCB布局和安裝，同時(shí)提供出色的散熱能力。
ST1G3234BBJR廣泛用于各種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率開關(guān)元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路中的功率級開關(guān)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. LED照明驅(qū)動(dòng)器中的功率管理部分。
6. 充電器和適配器設(shè)計(jì)中的核心功率器件。
由于其高可靠性和高效性能，ST1G3234BBJR成為眾多工程師在設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)時(shí)的理想選擇。
STP16NF65,
IRFB7440TRPBF,
FDP5700,
IXTH18N65L,
ST1G3234HBJR
