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ST1G3234BBJR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 16:07:41 查看 閱讀:24

ST1G3234BBJR是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的MOSFET功率晶體管。該器件屬于ST的MDmesh技術(shù)系列,采用DPAK7封裝形式。它主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效率和低功耗的電力電子設(shè)備。
  這款MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提高電路效率并減少能量損耗。其額定電壓為650V,適用于多種高壓應(yīng)用場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流:19A
  導(dǎo)通電阻(典型值):280mΩ
  柵極電荷(典型值):25nC
  總電容(輸入電容):1040pF
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝類型:DPAK7

特性

ST1G3234BBJR具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 高電壓耐受能力,額定電壓達(dá)到650V,適用于多種工業(yè)應(yīng)用。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅280mΩ(典型值),有助于降低導(dǎo)通損耗。
  3. 快速開關(guān)性能,柵極電荷小至25nC,從而減少開關(guān)損耗。
  4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),適合在高溫環(huán)境下運(yùn)行,最高結(jié)溫可達(dá)175°C。
  5. MDmesh技術(shù)帶來更高的單位面積電流密度和更優(yōu)的電氣性能。
  6. 封裝緊湊,便于PCB布局和安裝,同時(shí)提供出色的散熱能力。

應(yīng)用

ST1G3234BBJR廣泛用于各種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路中的功率級開關(guān)。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
  5. LED照明驅(qū)動(dòng)器中的功率管理部分。
  6. 充電器和適配器設(shè)計(jì)中的核心功率器件。
  由于其高可靠性和高效性能,ST1G3234BBJR成為眾多工程師在設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)時(shí)的理想選擇。

替代型號

STP16NF65,
  IRFB7440TRPBF,
  FDP5700,
  IXTH18N65L,
  ST1G3234HBJR

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st1g3234bbjr參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件ST1G3234B View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭邏輯 - 變換器
  • 系列-
  • 邏輯功能變換器
  • 位數(shù)1
  • 輸入類型電壓
  • 輸出類型電壓
  • 數(shù)據(jù)速率380Mbps
  • 通道數(shù)1
  • 輸出/通道數(shù)目1
  • 差分 - 輸入:輸出無/無
  • 傳輸延遲(最大)1ns
  • 電源電壓1.4 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼5-WFBGA,F(xiàn)CBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝5-覆晶
  • 包裝帶卷 (TR)