STB15N80K5是意法半導體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術制造,適用于高電壓、高頻開關應�。其額定耐壓�800V,連續(xù)漏極電流可達15A(在25℃條件下�,廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器以及各種工�(yè)電子設備��
STB15N80K5通過�(yōu)化的單元結構設計,具有較低的導通電阻和并降低了損�。此�,該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合在嚴苛的工作�(huán)境下使用�
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻(典型值)�3.6Ω
柵極電荷(典型值)�45nC
總柵極電荷(典型值)�79nC
輸入電容(典型值)�2050pF
反向恢復時間�9μs
工作結溫范圍�-55℃至+175�
1. 高額定電壓(800V),適用于高壓環(huán)境下的開關應��
2. 低導通電阻和柵極電荷,可顯著降低傳導損耗和開關損��
3. 采用了MDmesh K5技術,提升了器件的效率和熱性能�
4. 反向恢復時間�,有助于減少開關過程中的能量損失�
5. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適應多種惡劣工況�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
7. 具備良好的抗雪崩能力和靜電防護能�,增強了�(chǎn)品的耐用��
1. 開關模式電源(SMPS�
2. 電機驅動與控�
3. 太陽能逆變�
4. 不間斷電源(UPS�
5. 工業(yè)自動化設�
6. LED照明驅動
7. 電動車及充電裝置
8. 各類高頻開關電路
STB15N80K4,
STB15N80,
IRFP460