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STB24N60M6 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 9:06:11 查看 閱讀:13

STB24N60M6 是一款由意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的 N 沃型功率場效應晶體管(MOSFET)。該器件采用了先進的制造工藝,具有高耐壓、低導通電阻和快速開關(guān)能力等特性,適用于多種工業(yè)和消費類應用。STB24N60M6 的額定電壓為 600V,能夠承受較大的漏源極電壓,同時其導通電阻較低,可有效減少功率損耗。
  這款 MOSFET 主要應用于需要高效能開關(guān)的場合,例如電源管理電路、電機驅(qū)動器、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。由于其良好的熱特性和可靠性,STB24N60M6 在高性能要求的應用中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏電流:24A
  導通電阻(Rds(on)):130mΩ
  柵極電荷:75nC
  總電容(Ciss):1800pF
  最大功耗:360W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:TO-247

特性

STB24N60M6 具備以下顯著特性:
  1. 高耐壓性能:其 600V 的漏源極擊穿電壓使其適用于高壓環(huán)境下的各種應用。
  2. 低導通電阻:僅為 130mΩ,這有助于降低導通狀態(tài)下的功率損耗并提高效率。
  3. 快速開關(guān)速度:較小的柵極電荷(75nC)保證了快速的開關(guān)動作,從而減少了開關(guān)損耗。
  4. 高電流處理能力:連續(xù)漏電流高達 24A,適合大電流負載應用。
  5. 穩(wěn)定性:能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常工作,適應各種惡劣的工作條件。
  6. 封裝可靠:采用 TO-247 封裝,提供良好的散熱性能和機械強度。

應用

STB24N60M6 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)元件。
  2. 電機控制:作為電機驅(qū)動電路中的功率級元件,用于控制電機的速度和方向。
  3. 逆變器:在太陽能逆變器和其他類型的逆變器中用作高效的功率開關(guān)。
  4. 工業(yè)設(shè)備:如焊接設(shè)備、UPS 系統(tǒng)以及其他需要高電壓和大電流處理能力的設(shè)備。
  5. 消費類電子產(chǎn)品:包括筆記本電腦適配器、電視電源等對效率和穩(wěn)定性有較高要求的產(chǎn)品。

替代型號

STB24N60E6
  IRFB240N60DPBF
  FDMT24060Z

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stb24n60m6參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格1 : ¥24.41000剪切帶(CT)1,000 : ¥12.88425卷帶(TR)
  • 系列MDmesh? M6
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)600 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)17A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)190 毫歐 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)4.75V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)23 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)960 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)130W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應商器件封裝D2PAK
  • 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB