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STB60NF06LT4 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 18:55:27 查看 閱讀�7

STB60NF06LT4是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-277A封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,適合用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及其他功率管理�(yīng)�。其額定電壓�60V,持�(xù)漏極電流可達60A�
  STB60NF06LT4的設(shè)計重點在于降低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,以提高效率并減少發(fā)熱。同�,它還具備快速開�(guān)特性和良好的熱性能,適用于要求高能效的�(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�60A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�45nC(典型值)
  總功耗:175W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-277A

特�

STB60NF06LT4是一款高性能的功率MOSFET,主要特點包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高電流承載能�,使其能夠滿足大功率�(yīng)用的需��
  3. 快速開�(guān)速度,可以減少開�(guān)損耗并在高頻條件下表現(xiàn)良好�
  4. 熱穩(wěn)定性強,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�
  5. 采用TO-277A封裝,便于散熱設(shè)計和PCB布局�
  此外,該器件還具有較低的柵極電荷和輸入電�,從而減少了�(qū)動電路的�(fù)雜性�

�(yīng)�

STB60NF06LT4廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和直流-直流�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機�(qū)動和控制電路中的功率級元��
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電��
  4. 工業(yè)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和管理模塊�
  5. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開關(guān)�
  由于其出色的電氣性能和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效率和高功率密度的設(shè)計�

替代型號

STB60NF06L, IRFZ44N, FDP5800

stb60nf06lt4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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stb60nf06lt4參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STB60NF06L View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs66nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
  • 功率 - 最�110W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-6554-6