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STD10NM60N 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 18:54:06 查看 閱讀:29

STD10NM60N 是一款 N 溝道增強型 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由 STMicroelectronics(意法半導體)生產。該器件主要設計用于高電壓應用場合,具有低導通電阻和快速開關特性。其額定電壓為 600V,連續(xù)漏極電流可達 10A,適用于各種功率轉換電路,如開關電源、電機驅動和逆變器等。
  STD10NM60N 的封裝形式通常為 TO-247 或 TO-220,這使得它在散熱性能上表現(xiàn)出色,非常適合需要高效功率管理的應用場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:10A
  柵極閾值電壓:3V~4V
  導通電阻(典型值,Vgs=10V):1.2Ω
  總功耗:200W
  工作溫度范圍:-55℃~175℃

特性

STD10NM60N 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:600V 的漏源電壓使其能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  2. 低導通電阻:在 Vgs=10V 時,導通電阻僅為 1.2Ω,能夠有效降低功率損耗。
  3. 快速開關速度:該器件的開關時間較短,有助于提高系統(tǒng)效率并減少電磁干擾。
  4. 高可靠性:STMicroelectronics 的制造工藝確保了其卓越的穩(wěn)定性和長壽命。
  5. 寬工作溫度范圍:支持從 -55℃ 到 +175℃ 的環(huán)境溫度,適應多種極端工況。
  6. 熱穩(wěn)定性強:采用大功率封裝,具備優(yōu)秀的散熱性能。

應用

STD10NM60N 廣泛應用于以下領域(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 轉換器。
  2. 電機驅動:用于控制直流無刷電機或其他類型電機的運行。
  3. 逆變器:太陽能逆變器和其他電力轉換設備。
  4. 工業(yè)自動化:涉及高頻開關和功率管理的工業(yè)控制系統(tǒng)。
  5. 汽車電子:適合需要高可靠性和高效率的汽車應用,例如車載充電器或電動助力轉向系統(tǒng)。
  6. LED 驅動器:為高功率 LED 提供穩(wěn)定的電流輸出。

替代型號

IRFZ44N, FQP17N20, BUK9M10-60E

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std10nm60n參數(shù)

  • 其它有關文件STD10NM60N View All Specifications
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C550 毫歐 @ 4A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds540pF @ 50V
  • 功率 - 最大70W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封裝D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-10021-6