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STD12N06T4 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/24 14:19:37 查看 閱讀:17

STD12N06T4 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的 N 沒道功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能等特性,廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的場景。
  這款 MOSFET 的額定電壓為 60V,連續(xù)漏極電流可達(dá) 12A,非常適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源管理電路以及各種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:12A
  導(dǎo)通電阻(典型值):7.5mΩ
  柵極電荷:18nC
  總功耗:135W
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃
  封裝類型:TO-220

特性

STD12N06T4 具備以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為 7.5mΩ,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了效率。
  2. 快速開關(guān)性能,具有較小的柵極電荷,適合高頻應(yīng)用。
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
  4. 熱穩(wěn)定性良好,能夠承受較高的結(jié)溫,確保了長期使用的可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)要求。
  6. 提供多種保護(hù)功能,如過流保護(hù)和短路耐受能力,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的安全性。

應(yīng)用

STD12N06T4 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,用于控制各類直流無刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電源管理。
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池充電器和適配器。
  5. LED 驅(qū)動(dòng)器和照明系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)。
  6. 各種需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場合。

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP55N06L, STP12NF06

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