STD20NF06T4 是一� N 溝道增強型功率場效應晶體� (MOSFET),由意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)。該器件采用 TO-220 封裝形式,廣泛用于開關電�、電機驅動、負載切換和其他需要高效率和低導通損耗的應用��
這款 MOSFET 的最大特點是其較低的導通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。同�,它還具有較高的雪崩擊穿能量能力,從而增強了器件的耐用性和可靠性�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�20A
導通電�(Rds(on))�85mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
總功�(Ptot)�125W
結溫范圍(Tj)�-55� � +175�
封裝形式:TO-220
STD20NF06T4 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(85mΩ 典型值),有助于減少傳導損�,提升整體效��
2. 高雪崩擊穿能量能�,確保在過載或短路情況下仍能保持�(wěn)定運行�
3. 較高的漏源電壓(60V�,適合多種中低壓應用場景�
4. 快速開關性能,適用于高頻開關應用,例� DC-DC 轉換器和開關模式電源 (SMPS)�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
6. 結溫范圍寬廣�-55� � +175℃),適應各種惡劣的工作�(huán)��
STD20NF06T4 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS) 和適配器�
2. DC-DC 轉換器及降壓/升壓電路�
3. 電池管理與保護系�(tǒng)�
4. 電機驅動與控��
5. 負載切換和電子保險絲�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
由于其出色的電氣特性和可靠性,這款 MOSFET 在汽車電�、消費類電子�(chǎn)品以及工�(yè)設備中都有廣泛應��
STD20NF06L, IRFZ44N, FDP5500