時間：2025/4/30 19:19:20
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STD2HNK60Z是STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝形式，適用于需要高電流和高效率開關(guān)的場景。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能力，能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)的整體效率。
這款MOSFET廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中。通過優(yōu)化設(shè)計，該芯片在高頻工作條件下依然能保持出色的性能。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：13A
導(dǎo)通電阻：2.8Ω
柵極電荷：50nC
總耗散功率：225W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
STD2HNK60Z具有以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，其漏源電壓可高達(dá)600伏特，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 低導(dǎo)通電阻，在高電流條件下可以有效降低功率損耗。
3. 高速開關(guān)性能，得益于較小的柵極電荷，確保了快速開啟與關(guān)閉操作。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，即使在極端溫度范圍內(nèi)也能穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 強(qiáng)大的雪崩擊穿能力和魯棒性，提升了器件在異常條件下的可靠性。
該芯片適用于多種應(yīng)用場景，包括但不限于：
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)，如適配器和充電器。
2. 各類電機(jī)驅(qū)動電路，例如步進(jìn)電機(jī)或直流無刷電機(jī)控制。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器，用于電壓調(diào)節(jié)和穩(wěn)壓。
4. 逆變器及太陽能系統(tǒng)中的功率管理部分。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率開關(guān)組件。
IRFP460,
FQA13N60,
IXFN60N13P
