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STD2HNK60Z 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 19:19:20 查看 閱讀�29

STD2HNK60Z是STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝形式,適用于需要高電流和高效率開關(guān)的場�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能力,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)的整體效��
  這款MOSFET廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中。通過�(yōu)化設(shè)�,該芯片在高頻工作條件下依然能保持出色的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�13A
  �(dǎo)通電阻:2.8Ω
  柵極電荷�50nC
  總耗散功率�225W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

STD2HNK60Z具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,其漏源電壓可高�(dá)600伏特,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通電�,在高電流條件下可以有效降低功率損��
  3. 高速開�(guān)性能,得益于較小的柵極電�,確保了快速開啟與�(guān)閉操��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,即使在極端溫度范圍�(nèi)也能�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(qiáng)大的雪崩擊穿能力和魯棒性,提升了器件在異常條件下的可靠��

�(yīng)�

該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配器和充電器�
  2. 各類電機(jī)�(qū)動電�,例如步�(jìn)電機(jī)或直流無刷電�(jī)控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和穩(wěn)��
  4. 逆變器及太陽能系�(tǒng)中的功率管理部分�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率開�(guān)組件�

替代型號

IRFP460,
  FQA13N60,
  IXFN60N13P

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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std2hnk60z參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STD2HNK60Z View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 歐姆 @ 1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最�45W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-6192-6