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STD2HNK60Z 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 19:19:20 查看 閱讀:29

STD2HNK60Z是STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝形式,適用于需要高電流和高效率開關(guān)的場景。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能力,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)的整體效率。
  這款MOSFET廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中。通過優(yōu)化設(shè)計,該芯片在高頻工作條件下依然能保持出色的性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:13A
  導(dǎo)通電阻:2.8Ω
  柵極電荷:50nC
  總耗散功率:225W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃

特性

STD2HNK60Z具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,其漏源電壓可高達(dá)600伏特,適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
  2. 低導(dǎo)通電阻,在高電流條件下可以有效降低功率損耗。
  3. 高速開關(guān)性能,得益于較小的柵極電荷,確保了快速開啟與關(guān)閉操作。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,即使在極端溫度范圍內(nèi)也能穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 強(qiáng)大的雪崩擊穿能力和魯棒性,提升了器件在異常條件下的可靠性。

應(yīng)用

該芯片適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配器和充電器。
  2. 各類電機(jī)驅(qū)動電路,例如步進(jìn)電機(jī)或直流無刷電機(jī)控制。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和穩(wěn)壓。
  4. 逆變器及太陽能系統(tǒng)中的功率管理部分。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率開關(guān)組件。

替代型號

IRFP460,
  FQA13N60,
  IXFN60N13P

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std2hnk60z參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STD2HNK60Z View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 歐姆 @ 1A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-6192-6