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STD2NB60T4 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 16:11:21 查看 閱讀�15

STD2NB60T4是一種由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高壓MOSFET晶體�,屬于STPOWER系列。該器件采用N溝道增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的特性使其在功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,STD2NB60T4采用TO-220封裝,具有良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):600V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):2.5A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6Ω
  柵極電荷(Qg):38nC
  輸入電容(Ciss):1670pF
  開關(guān)速度:高�
  工作溫度范圍(Tj):-55℃至+150�

特�

STD2NB60T4具備以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:能夠承受高達(dá)600V的漏源電�,適用于多種高壓場景�
  2. 低導(dǎo)通電阻:1.6Ω的Rds(on)有效降低了傳�(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)能力:得益于低柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),可�(shí)�(xiàn)高頻操作�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):工作結(jié)溫范圍寬�,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 小型化設(shè)�(jì):TO-220封裝兼顧了性能與緊湊�,適合空間受限的�(yīng)用環(huán)境�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足全球電子行業(yè)法規(guī)要求�

�(yīng)�

STD2NB60T4廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):包括適配器、充電器及工�(yè)電源�
  2. 功率因數(shù)校正(PFC)電路:用于提高電力系統(tǒng)的效��
  3. 電機(jī)控制:如直流無刷電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級組件�
  4. 電磁閥和繼電器驅(qū)�(dòng):需要高耐壓特性的�(yīng)用場��
  5. �(fù)載切換:在電信設(shè)備或消費(fèi)電子�(chǎn)品中用作�(fù)載開�(guān)�
  6. 逆變器:太陽能逆變器及其他類型的電力轉(zhuǎn)換裝置�

替代型號

STD2ND60DM2
  STD2ND60NM2
  IRF840

std2nb60t4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

std2nb60t4資料 更多>

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std2nb60t4參數(shù)

  • 制造商STMicroelectronics
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓600 V
  • �/源擊穿電�+/- 30 V
  • 漏極連續(xù)電流2.6 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)3.6 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TO-252
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�13 ns
  • 最小工作溫�- 65 C
  • 功率耗散50 W
  • 上升�(shí)�7 ns
  • 工廠包裝�(shù)�2500