STD2NB60T4是一種由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高壓MOSFET晶體�,屬于STPOWER系列。該器件采用N溝道增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的特性使其在功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,STD2NB60T4采用TO-220封裝,具有良好的散熱性能�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):2.5A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6Ω
柵極電荷(Qg):38nC
輸入電容(Ciss):1670pF
開關(guān)速度:高�
工作溫度范圍(Tj):-55℃至+150�
STD2NB60T4具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達(dá)600V的漏源電�,適用于多種高壓場景�
2. 低導(dǎo)通電阻:1.6Ω的Rds(on)有效降低了傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)能力:得益于低柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),可�(shí)�(xiàn)高頻操作�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):工作結(jié)溫范圍寬�,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 小型化設(shè)�(jì):TO-220封裝兼顧了性能與緊湊�,適合空間受限的�(yīng)用環(huán)境�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足全球電子行業(yè)法規(guī)要求�
STD2NB60T4廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括適配器、充電器及工�(yè)電源�
2. 功率因數(shù)校正(PFC)電路:用于提高電力系統(tǒng)的效��
3. 電機(jī)控制:如直流無刷電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級組件�
4. 電磁閥和繼電器驅(qū)�(dòng):需要高耐壓特性的�(yīng)用場��
5. �(fù)載切換:在電信設(shè)備或消費(fèi)電子�(chǎn)品中用作�(fù)載開�(guān)�
6. 逆變器:太陽能逆變器及其他類型的電力轉(zhuǎn)換裝置�
STD2ND60DM2
STD2ND60NM2
IRF840