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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4 發(fā)布時間 時間�2024/8/19 15:08:20 查看 閱讀�376

SuperMESH?系列是通過對ST成熟的條形PowerMESH?布局進行極端�(yōu)化而獲得的。除了顯著降低電阻外,還特別注意確保在要求最苛刻的應用中具有非常好的dv/dt能力。該系列補充了ST全系列高壓MOSFET,包括革命性的MDmesh?產品�

特性說�

極高的dv/dt能力
  100%雪崩測試
  柵極電荷最小化
  非常低的固有電容
  非常好的制造重復�

技術參�

額定電壓(DC)�800 V
  額定電流�3.00 A
  針腳數:3
  漏源極電阻:3Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率�80 W
  閾值電壓:3.75 V
  漏源極電�(Vds)�800 V
  漏源擊穿電壓�800 V
  柵源擊穿電壓:�30.0 V
  連續(xù)漏極電流(Ids)�1.50 A
  上升時間�12 ns
  正向電壓(Max)�1.6 V
  輸入電容(Ciss)�575pF 25V(Vds)
  額定功率(Max)�80 W
  下降時間�32 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�80W(Tc)

封裝參數

安裝方式:Surface Mount
  引腳數:3
  封裝:TO-252-3

外形尺寸

長度�6.6 mm
  寬度�6.2 mm
  高度�2.4 mm
  封裝:TO-252-3

符合標準

RoHS標準:RoHS Compliant
  含鉛標準:Lead Free
  REACH SVHC標準:No SVHC

其他說明

產品生命周期:Not Recommended for New Designs
  包裝方式:Tape&Reel(TR)
  制造應用:電源管理,工業(yè)

std4nk80zt4推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
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  • 封裝/批號
  • 詢價

std4nk80zt4資料 更多>

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std4nk80zt4參數

  • 其它有關文件STD4NK80Z View All Specifications
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 歐姆 @ 1.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds575pF @ 25V
  • 功率 - 最�80W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-8910-6