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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STD64N4F6AG

STD64N4F6AG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 18:55:51 查看 閱讀�9

STD64N4F6AG是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)制造的高壓功率MOSFET,屬于MDmesh? F6技�(shù)系列。該器件采用TO-220封裝形式,適用于高電�、大電流的應(yīng)用場(chǎng)�。它具有低導(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn),廣泛用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和其他電力電子�(shè)備中�
  該MOSFET的最大漏源電壓為650V,持�(xù)漏極電流�4A,具有快速開(kāi)�(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  持續(xù)漏極電流�4A
  柵極電荷�31nC
  輸入電容�1080pF
  �(dǎo)通電阻:0.7Ω
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

STD64N4F6AG具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 采用先�(jìn)的MDmesh? F6技�(shù),優(yōu)化了�(dǎo)通電阻與柵極電荷之間的平��
  2. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了在�(guò)載或短路條件下的魯棒性�
  3. 極低的反向恢�(fù)電荷,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  5. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐用�,能夠在高溫�(huán)境下可靠工作�
  6. 快速開(kāi)�(guān)性能減少了開(kāi)�(guān)損�,提高了系統(tǒng)效率�

�(yīng)�

這款功率MOSFET適用于多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
  3. DC/DC�(zhuǎn)換器
  4. 逆變器和不間斷電源(UPS�
  5. 照明�(zhèn)流器
  6. 充電器和適配�
  其高電壓和大電流處理能力使其成為許多高功率應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

STD64N4F5AG, STD64N4F5XG

std64n4f6ag推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

std64n4f6ag資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

std64n4f6ag參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �8.74000剪切帶(CT�2,500 : �3.72094卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, STripFET? F6
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)54A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)8.2 毫歐 @ 27A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)44 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2415 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)60W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片),SC-63