這些超高壓N溝道功率MOSFET采用基于�(chuàng)新專有垂直結(jié)�(gòu)的MDmesh?K5技�(shù)�(shè)�(jì)。其�(jié)果是,對(duì)于需要高功率密度和高效率的應(yīng)用,�(dǎo)通電阻和超低柵極電荷顯著降低�
�(yè)界最低的RDS(on�
行業(yè)最佳業(yè)績指�(biāo)(FoM�
超低柵極電荷
100%雪崩測試
齊納保護(hù)
通道�(shù)�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:1.6Ω
極性:N-CH
耗散功率�110 W
閾值電壓:4 V
漏源極電�(Vds)�800 V
漏源擊穿電壓�800 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�4.5A
輸入電容(Ciss)�255pF 100V(Vds)
額定功率(Max)�110 W
工作溫度(Max):150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�85W(Tc)
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:TO-252-3
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tape&Reel(TR)