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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STF3N80K5

STF3N80K5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 16:07:55 查看 閱讀�15

STF3N80K5是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道MOSFET功率晶體�。該器件采用TO-220封裝,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等需要高效能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)景中�
  STF3N80K5具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適合用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)使其成為許多工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  最大連續(xù)漏極電流�4.1A
  最大脈沖漏極電流:69A
  柵極閾值電壓:2V~4V
  �(dǎo)通電阻(典型�,在Vgs=10V�(shí)):0.17Ω
  總功耗:70W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃~175�

特�

STF3N80K5的主要特性包括低�(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率;具備快速開(kāi)�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需�;同�(shí)具有良好的熱�(wěn)定性和可靠性�
  此外,該器件的高雪崩能量能力和堅(jiān)固的�(shè)�(jì)使得它能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定性能。這些特點(diǎn)共同確保了STF3N80K5在各類功率管理應(yīng)用中的優(yōu)異表�(xiàn)�

�(yīng)�

STF3N80K5適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,例如但不限于開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池充電器、電�(jī)控制器以及負(fù)載開(kāi)�(guān)等�
  由于其出色的電氣特性和�(wěn)健�,這款MOSFET非常適合用在需要高效功率轉(zhuǎn)換和可靠�(yùn)行的各種�(huán)境中,比如家用電�、工�(yè)�(shè)備及汽車電子系統(tǒng)中�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP36NF10L
  FDP5800

stf3n80k5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stf3n80k5資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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stf3n80k5參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,261�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �18.76000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�800 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.5A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.5 歐姆 @ 1A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)9.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)130 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220FP
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包