時間�2024/8/20 16:34:02
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這些器件是使用SuperMESH?5技術開�(fā)的N溝道功率MOSFET。這種革命性的雪崩堅固型高壓功率MOSFET技術基于創(chuàng)新的專有垂直結構。其結果�，對于需要高功率密度和高效率的應�，導通電阻和超低柵極電荷急劇降低�
DPAK 950 V全球最佳RDS（開啟）
全球最佳FOM（品質因�(shù)�
超低柵極電荷
100%雪崩測試
齊納保護
切換應用程序
針腳�(shù)�
漏源極電阻：1Ω
極性：N-CH
耗散功率�25 W
閾值電壓：4 V
漏源極電�(Vds)�950 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�9A
上升時間�12 ns
輸入電容(Ciss)�450pF 100V(Vds)
額定功率(Max)�25 W
下降時間�1 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�25W(Tc)
安裝方式：Through Hole
引腳�(shù)�
封裝：TO-220-3
長度�10.4 mm
封裝：TO-220-3
RoHS標準：RoHS Compliant
含鉛標準：Lead Free
產品生命周期：Active
包裝方式：Tube
