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STF8NM50N 發(fā)布時間 時間:2025/6/4 18:04:01 查看 閱讀:10

STF8NM50N是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。這款功率MOSFET采用TO-220封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各類功率控制電路中。
  STF8NM50N的主要特點是其較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能力,這使得它能夠在高效率應(yīng)用中提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

型號:STF8NM50N
  類型:N溝道MOSFET
  VDS(漏源電壓):500V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):1.3Ω(典型值,在VGS=10V時)
  ID(連續(xù)漏極電流):8A
  VGS(柵源電壓):±20V
  PD(總功耗):125W
  f(工作頻率):高達1MHz
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍:-55°C至+150°C

特性

STF8NM50N是一款高性能的MOSFET,具有以下特點:
  1. 高耐壓能力:該器件能夠承受高達500V的漏源電壓,適用于高壓應(yīng)用場景。
  2. 較低的導(dǎo)通電阻:RDS(on)在1.3Ω左右(在VGS=10V時),有助于降低導(dǎo)通損耗并提升整體效率。
  3. 高雪崩擊穿能力:具備良好的抗雪崩能力,確保在異常條件下仍能穩(wěn)定運行。
  4. 快速開關(guān)速度:支持高頻操作,適合于現(xiàn)代高效能開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  5. 可靠性高:通過嚴格的測試流程,保證了其在工業(yè)環(huán)境下的長期可靠性。
  6. 封裝堅固:采用標準TO-220封裝,易于安裝和散熱設(shè)計。

應(yīng)用

STF8NM50N主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于主開關(guān)管或同步整流電路。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:作為功率開關(guān)元件,實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。
  3. 電機驅(qū)動:適用于各種直流無刷電機或其他電機控制電路。
  4. 負載切換:在需要快速響應(yīng)和低損耗的負載切換電路中使用。
  5. 電池保護:用于電池組中的過流保護和充放電管理。
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備:包括各種控制模塊和功率輸出單元。

替代型號

IRF540N, STP8NK50Z, FQP8N50

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stf8nm50n參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STF8NM50N View All Specifications
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C790 毫歐 @ 2.5A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds364pF @ 50V
  • 功率 - 最大20W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-12590-5STF8NM50N-ND