STGB19NC60KDT4 是一款由意法半導體(STMicroelectronics)制造的 N 灃道通(N-Channel)功� MOSFET。該器件采用先進的溝槽式技�(shù)設計,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于需要高效能和高性能的應用場�。STGB19NC60KDT4 的耐壓等級� 600V,使其非常適合于高壓�(huán)境下的電力轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動應用�
這款 MOSFET 提供了出色的動態(tài)性能和熱�(wěn)定�,能夠有效降低系�(tǒng)的能量損�,并且支持高頻工作條��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�19A
導通電阻(RDS(on)):0.28Ω(典型值,在特定條件下�
柵極電荷�38nC(典型值)
總開關能量損耗:570mJ(典型值)
封裝類型:TO-247
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
STGB19NC60KDT4 具備以下主要特性:
1. 高擊穿電壓能力(600V�,適用于多種工業(yè)級高壓應用場��
2. 極低的導通電阻,有助于減少傳導過程中的功率損��
3. 快速開關特�,能夠支持高頻操作并提高系統(tǒng)效率�
4. 強大的熱管理能力,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行�
5. �(nèi)置反向二極管,可實現(xiàn)更高效的整流功能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保友��
7. 良好的電磁兼容性(EMC)表�(xiàn)�
STGB19NC60KDT4 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和 AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
3. 工業(yè)電機控制和驅(qū)動電路�
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源設��
5. 電動工具和家電的功率控制模塊�
6. 各類需要高電壓、大電流處理能力的電子系�(tǒng)�
STGBC19NC60, IRF840, FQA19N60C