時間：2025/5/12 20:11:15
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STGB19NC60KDT4 是一款由意法半導體（STMicroelectronics）制造的 N 灃道通（N-Channel）功率 MOSFET。該器件采用先進的溝槽式技術(shù)設計，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于需要高效能和高性能的應用場合。STGB19NC60KDT4 的耐壓等級為 600V，使其非常適合于高壓環(huán)境下的電力轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應用。
這款 MOSFET 提供了出色的動態(tài)性能和熱穩(wěn)定性，能夠有效降低系統(tǒng)的能量損耗，并且支持高頻工作條件。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：19A
導通電阻（RDS(on)）：0.28Ω（典型值，在特定條件下）
柵極電荷：38nC（典型值）
總開關能量損耗：570mJ（典型值）
封裝類型：TO-247
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
STGB19NC60KDT4 具備以下主要特性：
1. 高擊穿電壓能力（600V），適用于多種工業(yè)級高壓應用場景。
2. 極低的導通電阻，有助于減少傳導過程中的功率損耗。
3. 快速開關特性，能夠支持高頻操作并提高系統(tǒng)效率。
4. 強大的熱管理能力，確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行。
5. 內(nèi)置反向二極管，可實現(xiàn)更高效的整流功能。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保友好。
7. 良好的電磁兼容性（EMC）表現(xiàn)。
STGB19NC60KDT4 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)。
3. 工業(yè)電機控制和驅(qū)動電路。
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源設備。
5. 電動工具和家電的功率控制模塊。
6. 各類需要高電壓、大電流處理能力的電子系統(tǒng)。
STGBC19NC60, IRF840, FQA19N60C
