STGB19NC60KDT4 是一款由意法半導體(STMicroelectronics)制造的 N 灃道通(N-Channel)功率 MOSFET。該器件采用先進的溝槽式技術(shù)設計,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于需要高效能和高性能的應用場合。STGB19NC60KDT4 的耐壓等級為 600V,使其非常適合于高壓環(huán)境下的電力轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應用。
這款 MOSFET 提供了出色的動態(tài)性能和熱穩(wěn)定性,能夠有效降低系統(tǒng)的能量損耗,并且支持高頻工作條件。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:19A
導通電阻(RDS(on)):0.28Ω(典型值,在特定條件下)
柵極電荷:38nC(典型值)
總開關能量損耗:570mJ(典型值)
封裝類型:TO-247
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
STGB19NC60KDT4 具備以下主要特性:
1. 高擊穿電壓能力(600V),適用于多種工業(yè)級高壓應用場景。
2. 極低的導通電阻,有助于減少傳導過程中的功率損耗。
3. 快速開關特性,能夠支持高頻操作并提高系統(tǒng)效率。
4. 強大的熱管理能力,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行。
5. 內(nèi)置反向二極管,可實現(xiàn)更高效的整流功能。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保友好。
7. 良好的電磁兼容性(EMC)表現(xiàn)。
STGB19NC60KDT4 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)。
3. 工業(yè)電機控制和驅(qū)動電路。
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源設備。
5. 電動工具和家電的功率控制模塊。
6. 各類需要高電壓、大電流處理能力的電子系統(tǒng)。
STGBC19NC60, IRF840, FQA19N60C