STGB6NC60HDT4 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的高壓 MOSFET,采用 N 溝道技術(shù)。該器件具有高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適合用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。
這款 MOSFET 采用了 MDAP8 封裝形式,能夠承受較高的漏源電壓,并且具備快速開(kāi)關(guān)能力,使其在高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:6.2A
柵極電荷:17nC
導(dǎo)通電阻(典型值):0.8Ω
最大功耗:143W
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝類(lèi)型:MDAP8
STGB6NC60HDT4 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓:高達(dá) 650V 的漏源電壓使其適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻:,在高頻開(kāi)關(guān)條件下可降低功耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能:較小的柵極電荷和輸出電荷使其能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān),從而提高系統(tǒng)效率。
4. 強(qiáng)大的熱性能:支持高至 +175℃ 的工作結(jié)溫范圍,確保其在惡劣環(huán)境下依然穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 小型化設(shè)計(jì):MDAP8 封裝有助于節(jié)省電路板空間,同時(shí)提供良好的散熱性能。
STGB6NC60HDT4 廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 和適配器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 太陽(yáng)能逆變器。
5. 電動(dòng)工具和其他便攜式設(shè)備中的功率管理模塊。
由于其高耐壓和低損耗特性,該 MOSFET 是需要高效率和高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的理想選擇。
STGB12NC60HDT4
STGB8NC60HD
IRF840