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STGB6NC60HDT4 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/26 12:18:24 查看 閱讀：12

STGB6NC60HDT4 是一款由意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的高壓 MOSFET，采用 N 溝道技術(shù)。該器件具有高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，適合用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。
　　這款 MOSFET 采用了 MDAP8 封裝形式，能夠承受較高的漏源電壓，并且具備快速開(kāi)關(guān)能力，使其在高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：6.2A
　　柵極電荷：17nC
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：0.8Ω
　　最大功耗：143W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝類(lèi)型：MDAP8

特性

STGB6NC60HDT4 具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 高擊穿電壓：高達(dá) 650V 的漏源電壓使其適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：，在高頻開(kāi)關(guān)條件下可降低功耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能：較小的柵極電荷和輸出電荷使其能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān)，從而提高系統(tǒng)效率。
　　4. 強(qiáng)大的熱性能：支持高至 +175℃ 的工作結(jié)溫范圍，確保其在惡劣環(huán)境下依然穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 小型化設(shè)計(jì)：MDAP8 封裝有助于節(jié)省電路板空間，同時(shí)提供良好的散熱性能。

應(yīng)用

STGB6NC60HDT4 廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 和適配器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
　　3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器。
　　5. 電動(dòng)工具和其他便攜式設(shè)備中的功率管理模塊。
　　由于其高耐壓和低損耗特性，該 MOSFET 是需要高效率和高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的理想選擇。

替代型號(hào)

STGB12NC60HDT4
　　STGB8NC60HD
　　IRF840

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  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 類(lèi)型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）2.5V @ 15V，3A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）15A
  • 功率 - 最大56W
  • 輸入類(lèi)型標(biāo)準(zhǔn)型
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱(chēng)497-5110-6