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STGD4M65DF2 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 12:47:44 查看 閱讀�28

STGD4M65DF2是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一�650V耐壓的N溝道功率MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的MDmesh技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于各種高效能電源�(zhuǎn)換應(yīng)�,如開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器�。此外,STGD4M65DF2還具備出色的雪崩能力和熱�(wěn)定�,能夠在惡劣的工作條件下保持可靠運行�
  該產(chǎn)品屬于ST的Power MOSFET系列,專為中高電壓應(yīng)用場景設(shè)�,能夠滿足工�(yè)和消費電子領(lǐng)�?qū)π屎涂煽啃缘�?yán)格要求�

參數(shù)

電壓等級�650V
  連續(xù)漏極電流�4A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�480mΩ
  柵極電荷�13nC
  輸入電容�970pF
  總功耗:1.2W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220AC

特�

STGD4M65DF2是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性包括以下幾點:
  1. 高耐壓能力:額定電壓為650V,適用于多種高壓�(yīng)用場��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅�480mΩ,在降低傳導(dǎo)損耗的同時提升了整體效��
  3. 快速開�(guān)性能:得益于較低的柵極電荷(13nC),可以實現(xiàn)高頻開關(guān)操作,減少開�(guān)損耗�
  4. �(wěn)定性強:具有良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能�,可承受異常工作條件下的能量沖擊�
  5. 封裝緊湊:采用標(biāo)�(zhǔn)TO-220AC封裝,易于安裝且散熱性能�(yōu)越�
  6. 工作溫度范圍廣:支持�-55℃到+175℃的寬結(jié)溫范�,適�(yīng)各種極端�(huán)��

�(yīng)�

STGD4M65DF2因其卓越的電氣特性和可靠性,廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):
   - 適配器和充電�
   - AC-DC�(zhuǎn)換器
  2. 電機�(qū)動:
   - 家用電器中的小型電機控制
   - 工業(yè)自動化設(shè)備中的驅(qū)動電�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器�
   - 汽車電子系統(tǒng)
   - 通信基站供電模塊
  4. 其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)用:
   - LED照明�(qū)�
   - 太陽能微逆變�
  這些�(yīng)用充分利用了STGD4M65DF2的高效率、快速響�(yīng)和高可靠性特點�

替代型號

STG10NM65DF2, STGD6M65DF2

stgd4m65df2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stgd4m65df2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,486�(xiàn)�
  • 價格1 : �9.86000剪切帶(CT�2,500 : �4.23094卷帶(TR�
  • 系列M
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • IGBT 類型溝槽型場截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)8 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)16 A
  • 不同?Vge、Ic �?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V�4A
  • 功率 - 最大�68 W
  • 開關(guān)能量40μJ(開��136μJ(關(guān)�
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷15.2 nC
  • 25°C � Td(開/�(guān))�12ns/86ns
  • 測試條件400V�4A�47 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)時間 (trr)133 ns
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK