STGD6M65DF2是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款硅基氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(e-Mode GaN FET�。該器件采用DFN8 3x3封裝,具有高效率、高頻開�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。它適用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例如適配器、充電器、LED�(qū)�(dòng)器和電源管理�。這種GaN FET的高效性能使其成為傳統(tǒng)硅MOSFET的理想替代品�
作為增強(qiáng)型GaN晶體�,STGD6M65DF2能夠在高頻條件下保持較低的開�(guān)損耗,并且具備出色的熱性能和耐用�。其�(shè)�(jì)�(jié)合了先�(jìn)的GaN技�(shù)與優(yōu)化的封裝工藝,確保在緊湊空間�(nèi)提供卓越的電氣性能�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�6.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�160mΩ
柵極電荷(Qg):35nC
輸入電容(Ciss):1780pF
輸出電容(Coss):50pF
反向傳輸電容(Crss):12pF
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
STGD6M65DF2具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(650V),適合高壓�(yīng)用場��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�160mΩ),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)能力,可支持高達(dá)�(shù)MHz的工作頻率,從而縮小磁性元件和濾波器的尺寸�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)可靠性�
5. 小型DFN8 3x3封裝,節(jié)省PCB面積�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
7. 熱性能�(yōu)異,能夠承受較高的功耗而不影響�(wěn)定��
這些特性使得STGD6M65DF2非常適合用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、PFC升壓電路以及其他對效率和尺寸有嚴(yán)格要求的電力電子�(yīng)��
STGD6M65DF2廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. USB-PD快充適配器和無線充電器中的功率級開關(guān)�
2. 高效LED�(qū)�(dòng)�,特別是在調(diào)光和恒流控制中發(fā)揮重要作��
3. 工業(yè)電源和通信電源中的PFC電路及隔離式DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
5. 電動(dòng)工具和其他便攜式�(shè)備的電池充電解決方案�
6. 太陽能微型逆變器和其他分布式能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊�
由于其高�、高效和小型化的�(yōu)�(diǎn),這款GaN FET在需要緊湊設(shè)�(jì)和高性能表現(xiàn)的應(yīng)用中具有明顯�(yōu)勀�
STGBC6H65DF2
STGD8M65DF2