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STGF3NC120HD 發(fā)布時間 時間:2023/6/9 14:20:45 查看 閱讀:491

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

目錄

概述

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

封裝 / 箱體:TO-220FP

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極擊穿電壓:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.8 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

集電極最大連續(xù)電流 Ic:6 A

柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA

功率耗散:25 W

封裝:Tube

配置:Single

最大工作溫度:+ 150℃

最小工作溫度:- 55℃

安裝風格:Through Hole

資料

廠商
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics

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stgf3nc120hd參數(shù)

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  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)2.8V @ 15V,3A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)6A
  • 功率 - 最大25W
  • 輸入類型標準型
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝TO-220FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-4353-5