STGW80H65DFB是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款MOSFET功率晶體�,采用TO-247封裝。該器件專為高電壓應(yīng)用設(shè)�(jì),能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率性能,適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和其他功率電子系統(tǒng)。它屬于ST的MDmesh技�(shù)系列,具有優(yōu)化的柵極電荷和出色的開關(guān)特��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.1Ω
柵極電荷�23nC
總電容:320pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
STGW80H65DFB采用了先�(jìn)的MDmesh DMOS技�(shù),具備以下主要特性:
1. 高擊穿電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻,減少功率損耗并提高效率�
3. 柵極電荷較低,有助于降低開關(guān)損��
4. 快速開�(guān)速度,支持高頻操��
5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,可承受極端的工作條件�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)�(jì)��
該器件廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 逆變器和不間斷電源(UPS)�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和控制系統(tǒng)�
5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源應(yīng)用�
6. 家電中的功率管理模塊�
STGW80H65DM2, IRFBG30N65D, FGH65R085MD1