STGWA25M120DF3是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款高壓功率MOSFET,采用先進的溝槽式結(jié)�(gòu)�(shè)�,屬于MDmesh?系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的開關(guān)性能,非常適合用于工�(yè)電源、適配器、LED照明以及各類開關(guān)模式電源(SMPS)等�(yīng)�。其額定電壓�1200V,最大導(dǎo)通電阻較�,能夠在高頻條件下實�(xiàn)高效功率�(zhuǎn)��
該MOSFET的設(shè)計優(yōu)化了熱性能和電氣性能,使其在惡劣的工作環(huán)境下也能保持�(wěn)定運�。此外,STGWA25M120DF3采用了TO-247封裝形式,能夠提供良好的散熱性能,便于實際應(yīng)用中的安裝和集成�
型號:STGWA25M120DF3
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-247
漏源極擊穿電壓(BVdss):1200V
連續(xù)漏極電流(ID):25A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,在Vgs=15V時)
柵極電荷(Qg):65nC(典型值)
輸入電容(Ciss):2290pF(典型值)
總功耗(Ptot):300W
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
STGWA25M120DF3具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:額定電壓為1200V,適用于高壓�(yīng)用場�,例如太陽能逆變器和工業(yè)電源��
2. 超低�(dǎo)通電阻:在Vgs=15V�,導(dǎo)通電阻僅�85mΩ,有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和輸出電荷使得該MOSFET能夠在高頻下實現(xiàn)快速開�(guān),從而減少開�(guān)損��
4. �(wěn)定性強:得益于MDmesh?技�(shù),器件在高溫和高壓環(huán)境下表現(xiàn)出色,可靠性高�
5. �(yōu)異的熱性能:采用TO-247封裝,具有大尺寸引腳,能夠有效散�(fā)熱量,延長器件壽��
6. 寬工作溫度范圍:支持�-55°C�+175°C的工作溫度區(qū)�,適合各種極端環(huán)境下的應(yīng)用�
STGWA25M120DF3廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 太陽能逆變器:用于光伏系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)和能量轉(zhuǎn)��
3. 工業(yè)電機�(qū)動:適用于各種電機控制場景�
4. LED�(qū)動器:用于高亮度LED照明系統(tǒng)的電源管��
5. 電池充電器:為鋰電池和其他類型電池提供高效的充電解決方案�
6. PFC電路:用作功率因�(shù)校正電路中的開關(guān)元件,提升系�(tǒng)的功率因�(shù)和效��
STGWA25M120D, STGWA25M120NF3