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STL100N8F7 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 8:52:02 查看 閱讀�12

STL100N8F7 是一款由 STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)生產(chǎn)� N 灃道開關(guān) MOSFET。該器件采用 TOLL 封裝形式,適用于高功率密度和高效能的�(yīng)用場�。STL100N8F7 具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速開�(guān)特�,非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�、逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的工業(yè)�(yīng)用�
  這款 MOSFET 的設(shè)計目�(biāo)是滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對高效能和緊湊�(shè)計的需�。其卓越的電氣性能�(jié)合先�(jìn)的封裝技�(shù),使其成為高性能電源管理解決方案的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流�100A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�120nC
  總電容:2400pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:TOLL

特�

STL100N8F7 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在 10V 柵極�(qū)動下僅為 3.5mΩ,從而顯著降低傳�(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)能力,具有低柵極電荷 (Qg) 和輸出電� (Qoss),優(yōu)化了高頻開關(guān)效率�
  3. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下能夠可靠運(yùn)��
  4. 采用 TOLL 封裝,具備出色的熱性能和電氣性能,支持高效的功率傳輸�
  5. 工作�(jié)溫范圍寬� (-55� � +175�),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

STL100N8F7 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高功率處理能力的領(lǐng)�,具體包括:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器� POL(Point of Load)轉(zhuǎn)換器�
  2. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)��
  3. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
  4. 電動車和混合動力車的動力系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的開�(guān)電源和負(fù)載控��
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的場��

替代型號

STL150N8F7, IRFB3207, FDP158N10ATPS

stl100n8f7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stl100n8f7參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �22.82000剪切帶(CT�3,000 : �10.42831卷帶(TR�
  • 系列STripFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)6.1 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)46.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)3435 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.8W(Ta),120W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerFlat?�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN