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STL42P6LLF6 發(fā)布時間 時間:2025/5/12 9:21:33 查看 閱讀:23

STL42P6LLF6是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用LFPAK封裝,適用于高效率、低功耗的應(yīng)用場景。其設(shè)計優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,使其在各種電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。STL42P6LLF6具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的熱性能,適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等場合。
  STL42P6LLF6通過先進的制造工藝實現(xiàn)了高性能和可靠性,并且符合RoHS標準,支持環(huán)保要求。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:42A
  導(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷:35nC
  總電容:245pF
  工作溫度范圍:-55℃至175℃

特性

STL42P6LLF6具備出色的電氣特性和機械性能。它采用了LFPAK5x6封裝,這種封裝形式不僅減小了芯片尺寸,還增強了散熱能力。其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。此外,該器件具有快速開關(guān)速度和較低的柵極電荷,從而減少了開關(guān)損耗。
  該MOSFET在高溫環(huán)境下依然可以保持穩(wěn)定的性能,這得益于其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性設(shè)計。同時,STL42P6LLF6內(nèi)置了ESD保護功能,提高了抗靜電能力,確保在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性。
  其他顯著特性包括:
  - 超低導(dǎo)通電阻以實現(xiàn)更高的效率
  - 快速開關(guān)能力,減少動態(tài)損耗
  - 高電流承載能力
  - 符合AEC-Q101認證(汽車級版本可選)
  - 環(huán)保無鉛封裝

應(yīng)用

STL42P6LLF6廣泛應(yīng)用于各類高效能需求的電子產(chǎn)品中,主要領(lǐng)域包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及DC-DC轉(zhuǎn)換器
  2. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和電機控制
  3. 工業(yè)設(shè)備中的電機驅(qū)動與電源管理
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路
  5. 多相VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊)設(shè)計
  6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的信號處理單元
  由于其卓越的性能和緊湊的封裝形式,STL42P6LLF6成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計的理想選擇。

替代型號

STL45P6LLF6, IRFZ44N, FDP55N06L

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stl42p6llf6參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格1 : ¥15.18000剪切帶(CT)3,000 : ¥6.96422卷帶(TR)
  • 系列STripFET? F6
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)60 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)42A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)26 毫歐 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)3780 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc)
  • 工作溫度175°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerFlat?(5x6)
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN