STM32F103VBT6性能系列集成了高性能ARM Cortex?-M3 32位RISC核心,工作頻率為72 MHz,高速嵌入式存儲(chǔ)�(閃存高達(dá)128 KB,SRAM高達(dá)20 KB),以及連接到兩條APB總線的大量增�(qiáng)型I/O和外圍設(shè)�。所有設(shè)備都提供兩�(gè)12位ADC、三�(gè)通用16位定�(shí)器和一�(gè)PWM定時(shí)�,以及標(biāo)�(zhǔn)和高�(jí)通信接口:最多兩�(gè)I2C和SPI、三�(gè)USART、一�(gè)USB和一�(gè)CAN� STM32F103VBT6中密度性能線系列的工作電壓�2.0�3.6 V。它可在-40�+85°C溫度范圍�-40�+105°C�(kuò)展溫度范圍內(nèi)使用。一套全面的節(jié)能模式允許設(shè)�(jì)低功耗應(yīng)�。STM32F103VBT6中密度性能線系列包括六種不同封裝類型的器件:從36引腳�100引腳�
■核�:ARM 32位Cortex?-M3 CPU
-最高頻�72兆赫�
1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
0等待狀�(tài)�(nèi)存的性能
訪問
-單周期乘法和硬件除法
■記�
- 64�128千字節(jié)的閃�
- 20kbytes的SRAM
■時(shí)鐘、復(fù)位和供應(yīng)管理
- 2.0�3.6 V�(yīng)用電源和I/ o
- POR, PDR和可編程電壓檢測(cè)�(PVD)
- 4- 16 MHz晶體振蕩�
-�(nèi)�8 MHz工廠修剪RC
-�(nèi)�40 kHz RC
—CPU�(shí)鐘鎖相環(huán)
- 32 kHz振蕩器的RTC校準(zhǔn)
■功率低
-睡眠、停止和待機(jī)模式
- VBAT供應(yīng)RTC和備份寄存器
2 x 12��1μs A/D�(zhuǎn)換器(最�16通道)
—轉(zhuǎn)換范�:0 ~ 3.6 V
-雙采樣和保持能力
-溫度傳感�
■直接存�(chǔ)器存�
- 7通道DMA控制�
—外�(shè)支持:定時(shí)�、ADC、spi、i2c、usart
■多�(dá)80�(gè)快速I/O端口
- 26/37/51/80�(gè)I/ o,均可映射到16
外部中斷向量和幾乎所�5 v耐受�
商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半導(dǎo)�) |
封裝 | LQFP-100 |
STM32F103VBT6原理�
STM32F103VBT6引腳�
STM32F103VBT6封裝
STM32F103VBT6料號(hào)解釋