STM32F205RGT6基于高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心,工作頻率高�120 MHz。該系列集成了高速嵌入式存儲�(高達1mbyte的閃�,高�128kbytes的系�(tǒng)SRAM),高�4kbytes的備份SRAM,以及廣泛的增強型I/ o和外�,連接到兩個APB總線,三個AHB總線和一�32位多AHB總線矩陣。STM32F205RGT6還具有自適應實時�(nèi)存加速器(ART accelerator?),允許在最�120 MHz的CPU頻率下從閃存中實�(xiàn)相當�0等待狀�(tài)程序�(zhí)行的性能。該性能已通過CoreMark?基準測試驗證。STM32F205RGT6提供三�12位adc,兩個dac,一個低功耗RTC,十二個通用�16位定時器,包括兩個用于電機控制的PWM定時器,兩個通用�32位定時器。真�(shù)隨機�(fā)生器(RNG)。它們還具有標準和先進的通信接口。新的高級外設包括SDIO、增強的靈活靜態(tài)�(nèi)存控�(FSMC)接口(適用�100引腳或更多封裝的設備)和CMOS傳感器的攝像頭接�。這些設備還配備了標準外設�
·核心:Arm?32位Cortex?-M3 CPU (120 MHz
max)與自適應實時加速器(ART . max)
加速器?)允許0等待狀�(tài)�(zhí)行閃�、MPU�
150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
·記憶
—最�1mbyte的Flash�(nèi)�
�512字節(jié)OTP�(nèi)�
-最�128 + 4kbytes的SRAM
-靈活的靜�(tài)�(nèi)存控制器
支持Compact Flash, SRAM, PSRAM,NOR和NAND存儲�
- LCD并口�8080/6800模式
時鐘、復位和供應管理
- 1.8 ~ 3.6 V應用供電+ I/ o
- POR, PDR, PVD和BOR
- 4�26 MHz晶體振蕩�
-�(nèi)�16 MHz工廠修剪RC
- 32 kHz振蕩器的RTC校準
-�(nèi)�32 kHz RC校準
?低功耗模�
-睡眠、停止和待機模式
- VBAT提供RTC, 20 × 32位備�
寄存�,和可選�4kbytes備份SRAM
3 × 12��0.5μs adc,最�24通道
和多�6個MSPS在三重交錯模�
2 × 12位D/A�(zhuǎn)換器
?通用DMA: 16流控制器
具有集中式fifo和突�(fā)支持
最�17個計時器
-多達12�16位和兩�32位定時器�
高達120兆赫,每個最�
IC/OC/PWM或脈沖計�(shù)�
正交(增量)編碼器輸�
?�(diào)試模�:SWD、JTAG�
Cortex?-M3 Embedded Trace Macrocell?
商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半導�) |
封裝 | LQFP-64_10x10x05P | 包裝 | 整包� |
STM32F205RGT6原理�
STM32F205RGT6引腳�
STM32F205RGT6封裝