STM32G474CBT6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核。它們的工作頻率高達(dá)170MHz。Cortex-M4內(nèi)核具有單精度浮點(diǎn)單元(FPU),支持所有Arm單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP(數(shù)字信號(hào)處理)指令和一個(gè)增強(qiáng)應(yīng)用程序安全性的存儲(chǔ)器保護(hù)單元(MPU)。STM32G474CBT6嵌入了高速存儲(chǔ)器(512 KB的閃存和128 KB的SRAM)、用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的靈活外部存儲(chǔ)器控制器(FSMC)(適用于100引腳及以上封裝的設(shè)備)、Quad SPI閃存接口以及連接到兩條APB總線、兩條AHB總線和32位多AHB總線矩陣的大量增強(qiáng)型I/O和外圍設(shè)備。STM32G474CBT6還為嵌入式閃存和SRAM嵌入了幾種保護(hù)機(jī)制:讀出保護(hù)、寫入保護(hù)、安全存儲(chǔ)區(qū)域和專有代碼讀出保護(hù)。
STM32G474CBT6嵌入了允許數(shù)學(xué)/算術(shù)函數(shù)加速的外圍設(shè)備(CORDIC用于三角函數(shù),F(xiàn)MAC單元用于濾波函數(shù))。STM32G474CBT6提供五個(gè)快速12位ADC(5 Msps)、七個(gè)比較器、六個(gè)運(yùn)算放大器、七個(gè)DAC通道(3個(gè)外部和4個(gè)內(nèi)部)、一個(gè)內(nèi)部電壓參考緩沖器、一個(gè)低功耗RTC、兩個(gè)通用32位定時(shí)器、三個(gè)專用于電機(jī)控制的16位PWM定時(shí)器、七個(gè)通用16位定時(shí)器、一個(gè)16位低功耗定時(shí)器以及184 ps分辨率的高分辨率定時(shí)器。
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU,帶FPU,
自適應(yīng)實(shí)時(shí)加速器(ART加速器),允許0等待狀態(tài)執(zhí)行
來自閃存,頻率高達(dá)170 MHz
具有213個(gè)DMIPS、MPU、DSP指令
操作條件:
–VDD、VDDA電壓范圍:1.71 V至3.6 V
數(shù)學(xué)硬件加速器
–CORDIC用于三角函數(shù)加速
–FMAC:過濾數(shù)學(xué)加速器
記憶
–512 KB閃存,帶ECC
支持,兩個(gè)存儲(chǔ)體讀寫,
專有代碼讀出保護(hù)
(PCROP),安全存儲(chǔ)區(qū),1K字節(jié)OTP
–96 KB SRAM,具有硬件奇偶校驗(yàn)
在前32 KB上執(zhí)行檢查
–常規(guī)升壓器:32 KB SRAM
指令和數(shù)據(jù)總線,帶有硬件奇偶校驗(yàn)(CCM SRAM)
–用于靜態(tài)的外部存儲(chǔ)器接口
存儲(chǔ)器FSMC支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存儲(chǔ)器
–四路SPI存儲(chǔ)器接口
重置和供應(yīng)管理
–通電/斷電復(fù)位(POR/PDR/BOR)
–可編程電壓檢測(cè)器(PVD)
–低功耗模式:睡眠、停止、待機(jī)和關(guān)機(jī)
–RTC和備份寄存器的VBAT電源
時(shí)鐘管理
–4至48 MHz晶體振蕩器
–32 kHz振蕩器,帶校準(zhǔn)
–內(nèi)部16 MHz RC,帶PLL選項(xiàng)(±1%)
–內(nèi)部32 kHz RC振蕩器(±5%)
多達(dá)107個(gè)快速I/O
–所有可映射到外部中斷向量
–幾個(gè)具有5 V耐受能力的I/O
互連矩陣
16通道DMA控制器
5 x 12位ADC 0.25μs,最多42個(gè)通道。
硬件分辨率高達(dá)16位
過采樣,0至3.6V轉(zhuǎn)換范圍
7 x 12位DAC通道
–3個(gè)緩沖外部通道1 MSPS
–4個(gè)無緩沖內(nèi)部通道15 MSPS
7個(gè)超快軌對(duì)軌模擬比較器
6個(gè)運(yùn)算放大器,可用于
PGA模式,所有終端均可訪問
內(nèi)部電壓參考緩沖器(VREFBUF)支持三個(gè)輸出電壓(2.048V、2.5V、2.9V)
商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半導(dǎo)體) |
封裝 | 48-LQFP(7x7) | 包裝 | 托盤 |
核心處理器 | ARM Cortex-M4F | 內(nèi)核規(guī)格 | 32-位 |
速度 | 170MHz | 連接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LINbus,QSPI,SPI,UART/USART |
外設(shè) | 欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT | I/O數(shù) | 38 |
程序存儲(chǔ)容量 | 128KB(128K x 8) | 程序存儲(chǔ)器類型 | 閃存 |
EEPROM容量 | - | RAM大小 | 128K x 8 |
電壓-供電(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V | 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 | A/D 20x12b; D/A 7x12b |
振蕩器類型 | 內(nèi)部 | 工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 基本產(chǎn)品編號(hào) | STM32 |
產(chǎn)品應(yīng)用 | 高性能MCU |
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) | 3(168 小時(shí)) | RoHS狀態(tài) | 符合 ROHS3 規(guī)范 |
REACH狀態(tài) | 非 REACH 產(chǎn)品 |
STM32G474CBT6原理圖
STM32G474CBT6引腳圖
STM32G474CBT6封裝
STM32G474CBT6絲印
STM32G474CBT6料號(hào)解釋