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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STP110N7F6

STP110N7F6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 17:58:18 查看 閱讀�45

STP110N7F6 是一款由 STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)生產(chǎn)� N 灃道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能的功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。STP110N7F6 的額定電壓為 70V,能夠承受較大的漏極電流,并且具有良好的熱性能�
  � MOSFET 非常適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:70V
  連續(xù)漏極電流�110A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ(典型�,在特定條件下)
  柵極電荷�24nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=13ns,toff=18ns(典型值)
  封裝類型:TO-247
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

STP110N7F6 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能力使其能夠在大功率應(yīng)用中保持�(wěn)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損耗,非常適合高頻操作�
  4. 出色的熱性能有助于提升可靠�,并允許在高溫環(huán)境下�(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要��
  6. �(qiáng)大的抗雪崩能力增�(qiáng)了器件的魯棒��

�(yīng)�

STP110N7F6 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng),包括無(wú)刷直流電�(jī)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率級(jí)管理�
  5. 電動(dòng)車充電裝置與車載充電器�
  6. 高效電池管理系統(tǒng)(BMS��

stp110n7f6推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stp110n7f6參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列STripFET? F6
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�68 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)110A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)6.5 毫歐 @ 55A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)100 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)5850 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)176W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220
  • 封裝/外殼TO-220-3