STP35NF10是由意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,適用于多種高電�、大電流的應用場景,例如開關電源、電機驅動、逆變器等。它具有較低的導通電阻和較高的開關速度,可有效減少功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�35A
導通電阻:7.5mΩ
柵極電荷�46nC
開關時間:ton=9ns,toff=38ns
總功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
STP35NF10具備低導通電阻和低柵極電荷的特點,能夠顯著降低導通損耗和開關損耗。其�(yōu)化的寄生電容設計使其開關性能更加�(yōu)�,并且能夠在高頻條件下保持高效運行�
此外,該器件還具有較高的雪崩擊穿能量(EAS�,在異常工作情況下能提供更好的魯棒�。同�,其封裝形式便于散熱處理,適合對熱管理要求較高的應用�(huán)��
STP35NF10的工作溫度范圍寬�,可在極端溫度條件下�(wěn)定運�,這使得它非常適合工業(yè)及汽車領域的需求�
STP35NF10廣泛應用于各類電力電子設備中,包括但不限于開關模式電源(SMPS�、DC-DC轉換�、電機控制電�、太陽能逆變器以及不間斷電源(UPS)。由于其出色的電氣特性和可靠�,也常用于工�(yè)自動化設�、家用電器以及電動工具等領域�
IRFZ44N
STP36NF10L
FDP15N10S