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STP4N150 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 17:52:51 查看 閱讀�36

STP4N150是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高壓N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,適用于多種開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和逆變器等�(yīng)用領(lǐng)�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能�,能夠在高電壓條件下提供高效的功率轉(zhuǎn)��
  STP4N150的最大額定漏源電壓為150V,連續(xù)漏極電流�4A(在25°C�(shí)�。其�(yōu)異的電氣性能和可靠性使其成為許多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�4A
  �(dǎo)通電阻:2.8Ω(典型值)
  柵極閾值電壓:2V~4V
  總功耗:105W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C~175°C

特�

STP4N150具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá)150V的漏源電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型的導(dǎo)通電阻僅�2.8Ω,有助于降低功率損耗并提高效率�
  3. 快速開�(guān)速度:具備快速的開關(guān)性能,減少開�(guān)損�,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  4. �(qiáng)大的雪崩擊穿能力:增�(qiáng)了器件在異常情況下的保護(hù)能力�
  5. 寬溫度范圍:支持�-55°C�175°C的工作結(jié)溫范圍,適應(yīng)各種惡劣�(huán)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保設(shè)�(jì),滿足國際環(huán)保法�(guī)要求�

�(yīng)�

STP4N150廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源:用于DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC適配器等電源管理模塊�
  2. 電機(jī)�(qū)動:適用于家用電器、工�(yè)�(shè)備中的小型電�(jī)控制�
  3. 逆變器:用于太陽能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  4. LED照明:用作恒流或恒壓�(qū)動控制器�
  5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如游戲機(jī)、筆記本電腦充電器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�

替代型號

IRFZ44N, FQP12N50

stp4n150推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

stp4n150資料 更多>

  • 型號
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  • STP4N150
  • N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-2...
  • STMICROELECTR...
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stp4n150參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STP4N150 View All Specifications
  • 特色�(chǎn)�1500V MOSFET Family
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1500V�1.5kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 歐姆 @ 2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最�160W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 工具�497-8014-KIT-ND - KIT WIDE INPUT MOSFET 12VALUES
  • 其它名稱497-5091-5