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STP50NE10 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/6/12 11:10:30 查看 閱讀�369

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

家庭:MOSFET,GaNFET - �

系列:STripFET?

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�27 毫歐 @ 25A, 10V

漏極至源極電�(Vdss)�100V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�50A

Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

閘電�(Qg) @ Vgs�166nC @ 10V

� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �6000pF @ 25V

功率 - 最大:180W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3 (直引�)

包裝:管�

其它名稱�497-2644-5

資料

廠商
STMICROELECTRONICS

stp50ne10推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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stp50ne10參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫歐 @ 25A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs166nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6000pF @ 25V
  • 功率 - 最�180W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-2644-5