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STP60NF06 發(fā)布時間 時間�2024/5/15 13:58:27 查看 閱讀�463

STP60NF06是一款高性能的N溝道場效應晶體管(MOSFET�,適用于低電壓和高速開關應�。它是由STMicroelectronics公司生產的一種功率MOSFET�
  STP60NF06具有以下主要特點�
  1、低導通電阻:STP60NF06的導通電阻非常低,可以在高電流條件下實現(xiàn)低功耗操�。這使得它非常適合高效率功率開關應��
  2、高電流能力:STP60NF06能夠承受高達60安培的電�,使其適用于需要處理大電流的應�,如電機驅動、電源開關等�
  3、低輸入電容:STP60NF06具有較低的輸入電容,這使得它能夠在高速開關應用中實現(xiàn)快速的開關速度和響應時��
  4、高溫工作能力:STP60NF06能夠在高�175攝氏度的溫度下工�,使其適用于高溫�(huán)境和工業(yè)應用�
  5、極好的抗騙阻能力:STP60NF06具有�(yōu)異的抗騙阻能�,可以有效地防止靜電擊穿和其他外界干�,提高設備的可靠性和�(wěn)定��
  STP60NF06廣泛應用于各種功率開關應用領�,包括電機驅�、電源開�、照明控制、電動工�、電子設備等。它的高性能特點使得它成為工程師們在設計高效率和高性能電路時的首選組件之一�

參數(shù)和指�

1、額定電壓(Vds):60V
  2、額定電流(Id):60A
  3、最大功耗(Pd):75W
  4、開關時間(ton/off):20/60 ns
  5、導通電阻(Rds(on)):0.02Ω
  6、靜�(tài)電容(Ciss):1800pF
  7、工作溫度范圍(Tj):-55°C�150°C

技術要�

1、低導通電阻:STP60NF06具有較低的導通電阻,可以實現(xiàn)低功耗和高效率的電路設計�
  2、高耐壓能力:STP60NF06的額定電壓為60V,可以滿足較高電壓下的應用需��
  3、快速開關速度:STP60NF06具有較短的開關時間,可以實現(xiàn)快速的開關操作�
  4、高溫穩(wěn)定性:STP60NF06的工作溫度范圍為-55°C�150°C,適用于高溫�(huán)境下的工��

設計流程

1、確定電路需求:根據(jù)電路設計需求選擇合適的晶體管型��
  2、電路分析:根據(jù)電路需�,分析晶體管的參�(shù)和指�,確保晶體管能滿足電路需求�
  3、選型:選擇符合要求的STP60NF06晶體��
  4、電路設計:根據(jù)晶體管的工作原理和技術要�,設計合適的電路�
  5、電路仿真:使用電路仿真軟件對設計的電路進行性能評估和優(yōu)��
  6、原理圖設計:根�(jù)電路設計結果,繪制電路的原理��
  7、PCB設計:將原理圖轉化為PCB布局,并進行布線�
  8、制造和測試:將設計好的PCB制造出�,并進行電氣測試和性能驗證�

注意事項

1、控制柵極電壓:柵極電壓應保持在閾值電壓以�,以確保晶體管正常工作�
  2、防止過電流和過溫:根據(jù)晶體管的額定電流和功�,確保電路設計在正常工作范圍內,避免過電流和過溫�
  3、適當散熱:對于高功耗的應用,需要考慮散熱措施,以保持晶體管的正常工作溫度�

stp60nf06推薦供應� 更多>

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stp60nf06參數(shù)

  • 其它有關文件STP60NF06 View All Specifications
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs73nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1660pF @ 25V
  • 功率 - 最�110W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-2779-5