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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STP6N120K3

STP6N120K3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/16 14:53:45 查看 閱讀�410

這些器件是通過(guò)�(yōu)化意法半�(dǎo)體成熟的條形PowerMESH?布局獲得的N溝道SuperMESH?功率MOSFET。除了顯著降低電阻外,還特別注意確保非常好的�(dòng)�(tài)性能,以及非常大的雪崩能�,以滿足最苛刻的應(yīng)用需��

�(yīng)用說(shuō)�

100%雪崩�(cè)�
  超大雪崩性能
  柵極電荷最小化
  非常低的固有電容
  齊納保護(hù)

技�(shù)參數(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:1.95Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率�150 W
  閾值電壓:4 V
  漏源極電�(Vds)�1.2 kV
  連續(xù)漏極電流(Ids)�6A
  輸入電容(Ciss)�1050pF 100V(Vds)
  額定功率(Max)�150 W
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�150W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

外形尺寸

�(zhǎng)度:10.4 mm
  寬度�4.6 mm
  高度�14.9 mm
  封裝:TO-220-3

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
  REACH SVHC�(biāo)�(zhǔn):No SVHC

其他�(shuō)�

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube
  制造應(yīng)用:Industrial,電源管理,工業(yè),Power Management

stp6n120k3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stp6n120k3參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STP6N120K3 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH3™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1200V�1.2kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.4 歐姆 @ 2.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1050pF @ 100V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件
  • 工具�497-8014-KIT-ND - KIT WIDE INPUT MOSFET 12VALUES
  • 其它名稱497-12123