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時(shí)間：2025/6/3 15:04:14
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STP75N75F4是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的MDmesh技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn)，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種工業(yè)應(yīng)用中的功率管理。STP75N75F4封裝為TO-220AC，其額定電壓為75V，最大連續(xù)漏極電流為75A。
該MOSFET的設(shè)計(jì)注重高效能表現(xiàn)，在開關(guān)速度和導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)了良好的平衡，從而降低了系統(tǒng)的整體功耗。同時(shí)，它具備出色的熱性能，有助于提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
最大漏源電壓：75V
最大連續(xù)漏極電流：75A
最大柵源電壓：±20V
導(dǎo)通電阻（典型值）：3.8mΩ
柵極電荷（Qg）：105nC
總功耗：265W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
STP75N75F4的主要特性包括：
1. 額定電壓為75V，適用于中等電壓的應(yīng)用場(chǎng)合。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在典型條件下僅為3.8mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗。
3. 具有較高的雪崩擊穿能量（EAS），能夠承受異常情況下的瞬態(tài)過載。
4. 采用MDmesh技術(shù)，優(yōu)化了單元結(jié)構(gòu)以提升效率和可靠性。
5. 柵極電荷較低，有助于實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)操作，減少開關(guān)損耗。
6. 寬廣的工作溫度范圍（-55℃至+175℃），能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。
此外，其堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)使得該器件能夠勝任多種嚴(yán)苛條件下的應(yīng)用需求。
STP75N75F4廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓電路。
3. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。
4. 電動(dòng)車充電系統(tǒng)及電池管理系統(tǒng)。
5. 太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）。
6. 各種需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景，如LED照明驅(qū)動(dòng)器和家電功率控制模塊等。
STP75N75F7,
STP75NM60,
STP75DM6
