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STP8N80K5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 16:10:29 查看 閱讀�14

STP8N80K5是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等需要高效功率管理的�(chǎng)景中。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻特性使得它在高壓電路中表現(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的開�(guān)性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:800V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:1.4Ω(典型值,@VGS=10V�
  柵極電荷�39nC(典型值)
  輸入電容�1160pF(典型值)
  總功耗:10W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

STP8N80K5是一款高壓MOSFET,具有以下特�(diǎn)�
  1. 高耐壓能力,最高可�(dá)800V,適合用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 低導(dǎo)通電�,在Vgs�10V�(shí)僅為1.4Ω,能夠減少導(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)性能,較低的柵極電荷和輸出電容使器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�
  4. �(wěn)定的工作溫度范圍,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)中�
  6. TO-220封裝提供良好的散熱性能,便于安裝和維護(hù)�

�(yīng)�

STP8N80K5廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電路中的開�(guān)元件�
  4. 各類工業(yè)�(shè)備中的高壓開�(guān)�
  5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)的充放電管理模塊�
  6. 其他需要高�、高效率功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF840,
  STP8NB80Z,
  FDP8N80E,
  IXYS IXFN80N,
  ON Semiconductor MTP8N80

stp8n80k5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stp8n80k5資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

stp8n80k5參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�125�(xiàn)�7,000Factory
  • �(jià)�1 : �20.35000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�800 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)950 毫歐 @ 3A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)16.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)450 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)110W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220
  • 封裝/外殼TO-220-3