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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STQ1NK80ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 11:12:27 查看 閱讀�24

STQ1NK80ZR-AP是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,具有高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特�,適用于多種開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(yīng)用場(chǎng)合�
  STQ1NK80ZR-AP的主要特�(diǎn)是其額定漏源電壓高達(dá)800V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)具備快速開�(guān)特性和較低的柵極電�,有助于提高系統(tǒng)的效率并減少開關(guān)損��

參數(shù)

最大漏源電壓:800V
  最大漏極電流:1.1A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�5.6Ω
  柵極電荷�39nC
  總電容:740pF
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

STQ1NK80ZR-AP是一款高性能高壓MOSFET,其主要特性如下:
  1. 額定漏源電壓�800V,適合用于高壓環(huán)境下的各種應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 最大漏極電流為1.1A,能夠在較高�(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
  3. �(dǎo)通電阻典型值為5.6Ω,在保證高耐壓的同�(shí),盡量降低功��
  4. 柵極電荷僅為39nC,有助于�(shí)�(xiàn)快速開�(guān)操作,減少開�(guān)損��
  5. 工作溫度范圍�-55℃到+150�,能夠在極端�(huán)境下保持良好的性能�
  6. 具有良好的熱�(wěn)定性和可靠性,適用于工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)��
  7. TO-220封裝形式,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

STQ1NK80ZR-AP由于其高壓特性和高效的開�(guān)能力,廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換電路�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如直流無刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)控制�
  3. �(fù)載切換電�,用于保�(hù)系統(tǒng)免受過流或短路的影響�
  4. 逆變器電�,特別是在太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)��
  5. LED�(qū)�(dòng)電路,用于高亮度LED照明系統(tǒng)的調(diào)光和�(wěn)壓�
  6. 各種工業(yè)�(shè)備中的高壓開�(guān)�(yīng)��

替代型號(hào)

IRFP460,
  STP11NM60,
  FQA11N80C

stq1nk80zr-ap推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stq1nk80zr-ap資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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stq1nk80zr-ap參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C300mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds160pF @ 25V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-92-3
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-6197-6