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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STSJ100NH3LL

STSJ100NH3LL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/26 15:09:35 查看 閱讀�367

STSJ100NH3LL采用了ST專有STripFET的最新先�(jìn)�(shè)�(jì)�(guī)�? 技�(shù)。該工藝與獨(dú)特的金屬化技�(shù)相結(jié)合,�(shí)�(xiàn)了SO-8中有史以�(lái)最先�(jìn)的低壓MOSFET。改�(jìn)后的彈頭降低了Rthj-c,提高了電流能力�

�(yīng)�

專為移動(dòng)pc的高效CPU核心DC/DC�(zhuǎn)換器而設(shè)�(jì)和優(yōu)�

參數(shù)

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET - �
  系列:STripFET™
  FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  FET 特點(diǎn):邏輯電平門
  開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25� �3.5 毫歐 @ 12.5A, 10V
  漏極至源極電�(Vdss)�30V
  電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�25A
  Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA
  閘電�(Qg) @ Vgs�40nC @ 4.5V
  � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �4450pF @ 25V
  功率 - 最大:3W
  安裝類型:表面貼�
  封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)�8-eSOIC. 8-HSOIC
  包裝:帶� (TR)
  其它名稱�497-5785-2STSJ100NH3LL-ND

特�

典型RDS(開�=0.0032? @ 10�
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  開關(guān)損耗降�
  低閾值裝�
  改�(jìn)的接線盒熱阻

stsj100nh3ll推薦供應(yīng)� 更多>

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stsj100nh3ll�(chǎn)�

stsj100nh3ll參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫歐 @ 12.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4450pF @ 25V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm Width)裸露焊�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOIC-EP
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-5785-6