STSJ100NH3LL采用了ST專有STripFET的最新先�(jìn)�(shè)�(jì)�(guī)�? 技�(shù)。該工藝與獨(dú)特的金屬化技�(shù)相結(jié)合,�(shí)�(xiàn)了SO-8中有史以�(lái)最先�(jìn)的低壓MOSFET。改�(jìn)后的彈頭降低了Rthj-c,提高了電流能力�
專為移動(dòng)pc的高效CPU核心DC/DC�(zhuǎn)換器而設(shè)�(jì)和優(yōu)�
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:STripFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25� �3.5 毫歐 @ 12.5A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�25A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�40nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �4450pF @ 25V
功率 - 最大:3W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)�8-eSOIC. 8-HSOIC
包裝:帶� (TR)
其它名稱�497-5785-2STSJ100NH3LL-ND
典型RDS(開�=0.0032? @ 10�
4.5V�(shí)最佳RDS(開)x Qg�(quán)�
開關(guān)損耗降�
低閾值裝�
改�(jìn)的接線盒熱阻