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STW12NK90Z 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 14:46:30 查看 閱讀�23

STW12NK90Z是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道MOSFET功率晶體�。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等場景。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)在于高耐壓能力、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)性能,非常適合高效能的電力電子應(yīng)��
  STW12NK90Z采用TO-220封裝形式,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�,同�(shí)具備良好的熱性能,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源極電壓�900V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:3.5Ω
  柵極電荷�48nC
  總功耗:175W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

STW12NK90Z是一款高性能的MOSFET器件,具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 高耐壓能力:其漏源極電壓可�(dá)900V,適用于高壓�(huán)境中的各種應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅�3.5Ω,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  3. 快速開�(guān)性能:由于其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),該器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān)操作,降低開�(guān)損��
  4. �(wěn)定性:能夠在廣泛的溫度范圍�(nèi)正常工作,從低溫-55℃到高溫+150℃均保持�(wěn)定的電氣性能�
  5. 封裝�(yōu)勢:采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,便于散熱管�,并兼容大多�(shù)PCB布局�(shè)�(jì)�
  6. 高可靠性:通過�(yán)格的�(zhì)量控制流程制�,保證長期使用的可靠性和�(wěn)定��

�(yīng)�

STW12NK90Z因其卓越的性能和可靠�,廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC�(zhuǎn)換器和隔離式DC-DC變換器中,提供高效的功率傳輸�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于無刷直流電機(jī)(BLDC)和其他類型的電�(jī)控制電路�
  3. �(fù)載切換:用于保護(hù)電路免受過流或短路的影響�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:包括工業(yè)控制�(shè)備和�(jī)器人系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)�
  5. 太陽能逆變器:作為�(guān)鍵組件之一,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電�
  6. 汽車電子:可用于電動(dòng)車充電器及車載電子設(shè)備中的功率控制模��

替代型號

IRFP460, STW45N60M3

stw12nk90z推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
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stw12nk90z參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STW12NK90Z View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C880 毫歐 @ 5.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs152nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3500pF @ 25V
  • 功率 - 最�230W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-4421-5