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STW21NM60N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/14 17:47:50 查看 閱讀：22

STW21NM60N是由意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式，適用于需要高效率和低功耗的開關(guān)應(yīng)用。STW21NM60N的設(shè)計(jì)特別針對(duì)高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓特性。
　　此功率MOSFET的最大漏源電壓為600V，能夠滿足大多數(shù)高壓工業(yè)及消費(fèi)類電子設(shè)備的需求。同時(shí)，其出色的動(dòng)態(tài)性能使其非常適合于需要快速開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)合。

參數(shù)

最大漏源電壓：600V
　　連續(xù)漏極電流：2.8A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：3.5Ω（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　柵極電荷：45nC（典型值）
　　總電容（Ciss）：2470pF（典型值）
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：TO-220

特性

STW21NM60N具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 高擊穿電壓（600V），適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
　　2. 低導(dǎo)通電阻（3.5Ω），有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開關(guān)能力，支持高頻操作，從而減少磁性元件的尺寸和重量。
　　4. 優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)，降低了驅(qū)動(dòng)損耗。
　　5. 寬工作溫度范圍（-55℃至+150℃），保證了在極端條件下的可靠性。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求。

應(yīng)用

STW21NM60N廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換電路中，提供高效能的功率切換。
　　2. 電機(jī)控制：如家用電器中的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)，提供精確的電流控制。
　　3. 逆變器：用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的設(shè)備，例如太陽(yáng)能逆變器。
　　4. LED驅(qū)動(dòng)器：實(shí)現(xiàn)高效的LED照明控制。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備：包括各種需要高壓功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRFP250N, STP20NM60, FDP18N60

stw21nm60n推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stw21nm60n參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C220 毫歐 @ 8.5A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs66nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 50V
  • 功率 - 最大140W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-5024-5