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STW24N60M2 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/24 16:04:24 查看 閱讀：8

STW24N60M2 是由 STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款 N 灃道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），屬于 MDmesh M2 系列。該器件采用 TO-247 封裝，適用于高電壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)合。
　　STW24N60M2 的額定電壓為 600V，能夠承受較高的反向電壓，同時(shí)具有較低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，從而提高效率并減少功率損耗。這款 MOSFET 通常用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他電力電子轉(zhuǎn)換設(shè)備中。

參數(shù)

最大漏源電壓：600V
　　連續(xù)漏極電流：24A
　　導(dǎo)通電阻 Rds(on)：185mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　柵極電荷 Qg：45nC（典型值）
　　開關(guān)速度：快速恢復(fù)
　　封裝形式：TO-247

特性

STW24N60M2 具有以下顯著特性：
　　1. 高耐壓能力：其 600V 的漏源電壓使其適合于高壓工業(yè)和汽車應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：Rds(on) 的典型值為 185mΩ，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開關(guān)性能：得益于較低的柵極電荷 Qg 和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，該 MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。
　　4. 高可靠性：MDmesh 技術(shù)提升了器件的魯棒性和耐用性，特別是在高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景下。
　　5. 熱性能優(yōu)越：TO-247 封裝提供了良好的散熱路徑，有助于保持芯片在高溫下的穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

STW24N60M2 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）：包括 AC/DC 轉(zhuǎn)換器和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：如工業(yè)自動(dòng)化中的伺服電機(jī)控制或家用電器中的無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　3. 太陽能逆變器：用于光伏系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)與能量管理。
　　4. 不間斷電源（UPS）：提供高效的能源轉(zhuǎn)換和保護(hù)功能。
　　5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的功率變換模塊：如車載充電器和牽引逆變器。
　　6. 其他需要高壓開關(guān)和高效功率處理的電子電路設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

STW26N60M2, IRFP460, FQA24N65S7

stw24n60m2推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stw24n60m2參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量590現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥26.87000管件
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）600 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)18A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）190 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）29 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±25V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1060 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）150W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-247-3
  • 封裝/外殼TO-247-3