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STW48NM60N 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 13:45:01 查看 閱讀:20

STW48NM60N 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的高性能 N 灃道溝槽功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。
  這款 MOSFET 集成了多種特性以優(yōu)化效率和可靠性,其耐壓值為 600V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具有快速開關(guān)速度和較低的柵極電荷。這使得 STW48NM60N 成為高效率電力電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

參數(shù)

額定電壓:600V
  最大連續(xù)漏電流:8A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5Ω(典型值,@ Vgs=10V)
  柵極電荷:25nC(典型值)
  輸入電容:1350pF(典型值)
  反向恢復(fù)時間:75ns(典型值)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:TO-220

特性

STW48NM60N 提供了出色的電氣特性和可靠性:
  1. 高耐壓能力,可確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關(guān)速度和低柵極電荷,有助于降低開關(guān)損耗。
  4. 內(nèi)部采用了優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提高了散熱性能。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。
  6. 具有良好的雪崩能力和抗 ESD 性能,增強(qiáng)器件的耐用性。

應(yīng)用

STW48NM60N 廣泛應(yīng)用于各種高電壓、大功率的電力電子設(shè)備中,具體包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級開關(guān)元件。
  3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
  4. 電機(jī)驅(qū)動和控制電路中的功率輸出級。
  5. PFC(功率因數(shù)校正)電路中的升壓開關(guān)。
  6. 各類工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功率管理模塊。

替代型號

STW49NM60N
  STW47NM60N

stw48nm60n推薦供應(yīng)商 更多>

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stw48nm60n參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STW48NM60N View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C39A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs124nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4285pF @ 50V
  • 功率 - 最大255W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247
  • 包裝管件
  • 工具箱497-8013-KIT-ND - KIT HIGH POWER MOSFET 12VALUES
  • 其它名稱497-11367-5