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STW48NM60N 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 13:45:01 查看 閱讀�20

STW48NM60N 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高性能 N 灃道溝槽功率 MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
  這款 MOSFET 集成了多種特性以�(yōu)化效率和可靠�,其耐壓值為 600V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具有快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷。這使� STW48NM60N 成為高效率電力電子設(shè)�(jì)的理想選��

參數(shù)

額定電壓�600V
  最大連續(xù)漏電流:8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5Ω(典型�,@ Vgs=10V�
  柵極電荷�25nC(典型值)
  輸入電容�1350pF(典型值)
  反向恢復(fù)時間�75ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-220

特�

STW48NM60N 提供了出色的電氣特性和可靠性:
  1. 高耐壓能力,可確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷,有助于降低開關(guān)損��
  4. �(nèi)部采用了�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),提高了散熱性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需求�
  6. 具有良好的雪崩能力和� ESD 性能,增�(qiáng)器件的耐用性�

�(yīng)�

STW48NM60N 廣泛�(yīng)用于各種高電�、大功率的電力電子設(shè)備中,具體包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)元件�
  3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的�(guān)鍵組��
  4. 電機(jī)�(qū)動和控制電路中的功率輸出級�
  5. PFC(功率因�(shù)校正)電路中的升壓開�(guān)�
  6. 各類工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的功率管理模塊�

替代型號

STW49NM60N
  STW47NM60N

stw48nm60n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

stw48nm60n參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STW48NM60N View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列MDmesh™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C39A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs124nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4285pF @ 50V
  • 功率 - 最�255W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247
  • 包裝管件
  • 工具�497-8013-KIT-ND - KIT HIGH POWER MOSFET 12VALUES
  • 其它名稱497-11367-5