時間：2025/5/22 13:45:01
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STW48NM60N 是一款由意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的高性能 N 灃道溝槽功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。
這款 MOSFET 集成了多種特性以優(yōu)化效率和可靠性，其耐壓值為 600V，能夠承受較高的漏源電壓，同時具有快速開關(guān)速度和較低的柵極電荷。這使得 STW48NM60N 成為高效率電力電子設(shè)計(jì)的理想選擇。
額定電壓：600V
最大連續(xù)漏電流：8A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：2.5Ω（典型值，@ Vgs=10V）
柵極電荷：25nC（典型值）
輸入電容：1350pF（典型值）
反向恢復(fù)時間：75ns（典型值）
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：TO-220
STW48NM60N 提供了出色的電氣特性和可靠性：
1. 高耐壓能力，可確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 極低的導(dǎo)通電阻，減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)速度和低柵極電荷，有助于降低開關(guān)損耗。
4. 內(nèi)部采用了優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高了散熱性能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。
6. 具有良好的雪崩能力和抗 ESD 性能，增強(qiáng)器件的耐用性。
STW48NM60N 廣泛應(yīng)用于各種高電壓、大功率的電力電子設(shè)備中，具體包括：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級開關(guān)元件。
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
4. 電機(jī)驅(qū)動和控制電路中的功率輸出級。
5. PFC（功率因數(shù)校正）電路中的升壓開關(guān)。
6. 各類工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功率管理模塊。
STW49NM60N
STW47NM60N
