SUB75P03-07-E3 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的射頻功率晶體管,主要用于無線通信、雷達系�(tǒng)和射頻能量應用。該器件具有高增�、高效率和寬帶性能特點,適用于頻率范圍� S 波段及以上的應用場景。其封裝設計能夠支持高效的散熱管�,并提供�(wěn)定的輸出功率表現(xiàn)�
最大輸出功率:50W
頻率范圍�2.8GHz � 3.2GHz
增益�11dB
效率�60%
工作電壓�28V
靜態(tài)電流�4A
封裝形式:E3 封裝
�(jié)溫范圍:-40� � +100�
SUB75P03-07-E3 的主要特性包括高線性度和出色的負載牽引能力,使其在復雜的調(diào)制信號下仍能保持�(wěn)定運�。此�,該器件�(nèi)置了匹配�(wǎng)絡以�(yōu)化阻�,減少外部電路設計復雜度�
它采用增強型 E3 封裝技�(shù),具備良好的熱傳導性和電氣隔離性能,確保在嚴苛�(huán)境下的可靠��
由于采用了先進的 GaAs 工藝,這款晶體管可以在高頻條件下提供卓越的功率附加效率(PAE�,從而降低系�(tǒng)功耗并延長設備使用壽命�
SUB75P03-07-E3 廣泛應用于需要高性能射頻放大的領�,例如:
1. 軍用雷達系統(tǒng)中的�(fā)射機模塊
2. 無線通信基站的功率放大器
3. 測試與測量設備中的信號源
4. 射頻能量�(zhuǎn)換裝置如等離子體激�(fā)或加熱系�(tǒng)
5. 微波鏈路終端的功率提升組�
這些應用得益于其寬頻帶覆蓋能力以及高效穩(wěn)定的功率輸出�
SUB75P03-07-D3
SUB75P03-10-E3