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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SUB75P03-07-E3

SUB75P03-07-E3 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 16:13:39 查看 閱讀�17

SUB75P03-07-E3 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的射頻功率晶體管,主要用于無線通信、雷達系�(tǒng)和射頻能量應用。該器件具有高增�、高效率和寬帶性能特點,適用于頻率范圍� S 波段及以上的應用場景。其封裝設計能夠支持高效的散熱管�,并提供�(wěn)定的輸出功率表現(xiàn)�

參數(shù)

最大輸出功率:50W
  頻率范圍�2.8GHz � 3.2GHz
  增益�11dB
  效率�60%
  工作電壓�28V
  靜態(tài)電流�4A
  封裝形式:E3 封裝
  �(jié)溫范圍:-40� � +100�

特�

SUB75P03-07-E3 的主要特性包括高線性度和出色的負載牽引能力,使其在復雜的調(diào)制信號下仍能保持�(wěn)定運�。此�,該器件�(nèi)置了匹配�(wǎng)絡以�(yōu)化阻�,減少外部電路設計復雜度�
  它采用增強型 E3 封裝技�(shù),具備良好的熱傳導性和電氣隔離性能,確保在嚴苛�(huán)境下的可靠��
  由于采用了先進的 GaAs 工藝,這款晶體管可以在高頻條件下提供卓越的功率附加效率(PAE�,從而降低系�(tǒng)功耗并延長設備使用壽命�

應用

SUB75P03-07-E3 廣泛應用于需要高性能射頻放大的領�,例如:
  1. 軍用雷達系統(tǒng)中的�(fā)射機模塊
  2. 無線通信基站的功率放大器
  3. 測試與測量設備中的信號源
  4. 射頻能量�(zhuǎn)換裝置如等離子體激�(fā)或加熱系�(tǒng)
  5. 微波鏈路終端的功率提升組�
  這些應用得益于其寬頻帶覆蓋能力以及高效穩(wěn)定的功率輸出�

替代型號

SUB75P03-07-D3
  SUB75P03-10-E3

sub75p03-07-e3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sub75p03-07-e3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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sub75p03-07-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SUP,SUB75P03-07
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9000pF @ 25V
  • 功率 - 最�187W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商設備封�TO-263(D2Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)