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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/10 16:58:50 查看 閱讀�5

SUD09P10-195-GE3 是一款高性能的肖特基二極管,采用 TO-263 封裝形式。該器件以其低正向電壓降和快速反向恢復時間著�,適用于高頻開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、續(xù)流二極管等應用領�。其出色的效率和可靠性使其成為眾多電子設計中的理想選��

參數(shù)

最大正向電流:2A
  峰值反向電壓:100V
  正向壓降�0.9V(典型值,If=2A�
  反向恢復時間�40ns
  結電容:25pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SUD09P10-195-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的正向電壓降,有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的反向恢復時間,非常適合高頻應用環(huán)��
  3. 高溫適應性,能夠在極端條件下�(wěn)定運��
  4. 可靠的浪涌電流能力,確保在瞬�(tài)條件下的安全��
  5. 采用標準� TO-263 封裝,便于安裝與散熱設計�

應用

這款肖特基二極管廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源中的整流和保護電��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  3. 電機�(qū)動電路中的續(xù)流路��
  4. 太陽能逆變器和其他功率�(zhuǎn)換設備中的高效能量傳遞�
  5. 各種需要快速切換和低損耗的高頻功率應用�

替代型號

SUD09P10-195-G, SUD09P10-195-GE, SS14

sud09p10-195-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sud09p10-195-ge3資料 更多>

  • 型號
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sud09p10-195-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C195 毫歐 @ 3.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs34.8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1055pF @ 50V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�TO-252,(D-Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SUD09P10-195-GE3TR